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FZ800R12KS4B2NOSA1

型号：

FZ800R12KS4B2NOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

380 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
HochleistungsmodulꢀmitꢀAlSiCꢀBodenplatteꢀundꢀschnellemꢀIGBT2ꢀfürꢀhochfrequentesꢀSchaltenꢀ  
HighꢀPowerꢀModuleꢀwithꢀAlSiCꢀbaseꢀplateꢀandꢀshortꢀtailꢀIGBT2ꢀforꢀhighꢀswitchingꢀfrequencyꢀ  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Tvj = 25°C  
VCES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Collector-emitterꢀvoltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
800  
1200  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
1600  
7,60  
A
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 800 A, VGE = 15 V  
IC = 800 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,20 3,70  
3,85  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600V  
Tvj = 25°C  
4,5  
5,5  
8,40  
0,56  
52,0  
3,40  
ꢀ
6,5  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,10  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,125  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,53  
0,59  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,06  
0,07  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
76,0  
58,0  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
6000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
16,5 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
13,5  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200  
800  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
1600  
185  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
I²tꢀ-ꢀvalue  
ꢀ kA²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 800 A, VGE = 0 V  
IF = 800 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,00 2,40  
1,70  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
540  
900  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
60,0  
160  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
32,0  
76,0  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
20,0  
ꢀ
25,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0  
ꢀ kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
ꢀ
ꢀ
AlSiC  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
ꢀ
AlN  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
32,2  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 400  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
ꢀ
ꢀ
8,00  
15  
K/kW  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
RCC'+EE'  
ꢀ
0,10  
mΩ  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
ꢀ
125 °C  
5,75 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
-
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,7  
8,0  
-
-
2,3 Nm  
10 Nm  
M
G
Gewicht  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1000  
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
1600  
1600  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 8V  
VGE = 9V  
VGE = 10V  
VGE = 12V  
VGE = 15V  
VGE = 20V  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.3ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.3ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
1600  
250  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
1400  
1200  
1000  
800  
200  
150  
100  
50  
600  
400  
200  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
400  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
350  
ZthJC : IGBT  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,3 3,3 6,6 3,3  
τi[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.3ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
1800  
1600  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1600  
1400  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.3ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
100  
100  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
80  
60  
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80  
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20  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
IF [A]  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
100  
ZthJC : Diode  
10  
1
i:  
1
5
2
5
3
10  
4
5
ri[K/kW]:  
τi[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ3.2  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Nutzungsbedingungen  
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
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厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ800R06KF3 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 800A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

INFINEON

 		FZ800R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

ETC

 		FZ800R12KF1 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ800R12KF4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 4 页

INFINEON

 		FZ800R12KL4C TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / Technical Information ] 8 页

ETC

 		FZ800R12KS4 IGBT -模块[ IGBT-Module ] 9 页

ETC

 		FZ800R12KS4V2 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

EUPEC

 		FZ800R12KS4_B2 与铝碳化硅基板和短尾巴IGBT2的高开关频率高功率模块[ High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency ] 8 页

ETC

 		FZ800R16KF4 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.6KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 4 页

EUPEC

 		FZ800R17KF6CB2 IGBT模块[ IGBT-Modules ] 9 页

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