请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ800R12KL4C

型号：

FZ800R12KL4C

描述：

TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / Technical Information ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

411 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
1200VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
1200VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1200  
1200  
VCES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
800  
1300  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
1600  
5,70  
A
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 800 A, VGE = 15 V  
IC = 800 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,10 2,60  
2,40 2,90  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
8,60  
1,3  
56,0  
3,60  
ꢀ
6,5  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,27  
0,29  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,15  
0,16  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,90  
1,00  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 800 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
120  
125  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
6000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
22,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
9,00  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1200  
1200  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
800  
1600  
240  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
ꢀ kA²s  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
ꢀ
ton min  
10,0  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 800 A, VGE = 0 V  
IF = 800 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,80 2,30  
1,70 2,20  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 800 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
550  
740  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 800 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
74,0  
170  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 800 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
24,0  
62,0  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
17,0  
ꢀ
40,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5  
ꢀ kV  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
ꢀ
Al2O3  
17,0  
ꢀ
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
10,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 275  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
ꢀ
ꢀ
6,00  
12  
K/kW  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
RCC'+EE'  
ꢀ
0,19  
mΩ  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
ꢀ
125 °C  
5,75 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
-
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,7  
8,0  
-
-
2,3 Nm  
10 Nm  
M
G
Gewicht  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1500  
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
1600  
1600  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 17 V  
VGE = 15 V  
VGE = 13 V  
VGE = 11 V  
1400  
1200  
1000  
800  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
VGE  
VGE  
=
=
9 V  
7 V  
600  
400  
200  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
1600  
350  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
1400  
1200  
1000  
800  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
600  
400  
200  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
450  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
Eoff, Tvj = 125°C  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 7,7 7,7 4,4 2,2  
τi[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
0
0,1  
0,001  
0
2
4
6
8
10  
12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
1800  
1600  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1600  
1400  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0  
0,3  
0,6  
0,9  
1,2  
VF [V]  
1,5  
1,8  
2,1  
2,4  
VCE [V]  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
80  
80  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
IF [A]  
0
2
4
6
8
10  
12  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
100  
ZthJC : Diode  
10  
i:  
1
2
14  
3
8
4
4
ri[K/kW]: 14  
τi[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
1
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KL4C  
Nutzungsbedingungen  
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ800R06KF3 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 800A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

INFINEON

 		FZ800R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

ETC

 		FZ800R12KF1 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ800R12KF4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 4 页

ETC

 		FZ800R12KS4 IGBT -模块[ IGBT-Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ800R12KS4B2NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 8 页

ETC

 		FZ800R12KS4V2 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

EUPEC

 		FZ800R12KS4_B2 与铝碳化硅基板和短尾巴IGBT2的高开关频率高功率模块[ High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency ] 8 页

ETC

 		FZ800R16KF4 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.6KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 4 页

EUPEC

 		FZ800R17KF6CB2 IGBT模块[ IGBT-Modules ] 9 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于达普

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：smail@ic72.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

达普官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.241775s