FZ 800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
VCES
IC
1200 V
800 A
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
1600 A
5400 W
± 20 V
800 A
tC=25°C, Transistor /transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
VGE
IF
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
1600 A
2,5 kV
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
2,7
3,3
5,5
55
11
65
-
max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC=800A, vGE=15V, tvj=25°C
iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C
iC=32mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=800A,vCE=600V
vCE sat
-
3,2 V
3,9 V
6,5 V
- nF
-
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
vGE(th)
Cies
4,5
-
-
-
-
-
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
iCES
- mA
- mA
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
iGES
iEGS
ton
400 nA
400 nA
gate leakage current
-
turn-on time (inductive load)
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C
-
-
0,7
0,8
- µs
- µs
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
iC=800A,vCE=600V
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
ts
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
iC=800A,vCE=600V
-
-
0,9
1,0
- µs
- µs
tf
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C
-
-
0,10
0,15
- µs
- µs
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH
vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energie loss per pulse
turn-off energie loss per pulse
Eon
Eoff
-
-
130
120
- mWs
- mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C
iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=800A,-di/dt = 4kA/µs
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
-
-
2,2
2,0
2,7 V
2,5 V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
recovered charge
IRM
vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C
iF=800A,-di/dt = 4kA/µs
-
-
280
480
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
Qr
vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C
-
-
35
- µAs
100
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
RthJC
0,023 °C/W
0,044 °C/W
0,01 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
pro Modul / per Module
pro Modul / per Module
Transistor / transistor
RthCK
tvj max
tc op
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Innere Isolation
case, see appendix
internal insulation
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AI2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
mounting torque
terminals M6 / tolerance +/-15%
terminals M4 / tolerance +/-15%
terminals M8
M1
M2
5 Nm
terminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
Gewicht
weight
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15 V
RGF = RGR = 1,8
tvj = 125°C
vCEM = 900 V
iCMK1 7000 A
iCMK2 6000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
= VCES - 15nH x |di /dt|
c
vCEM
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
