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FZ800R12KS4_B2

型号:

FZ800R12KS4_B2

描述:

与铝碳化硅基板和短尾巴IGBT2的高开关频率高功率模块[ High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency ]

品牌:

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数:

8 页

PDF大小:

257 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Hochleistungsmodul mit AlSiC Bodenplatte und schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten  
High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
800  
1200  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1600  
7,60  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,20 3,70  
3,85  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 600V  
TÝÎ = 25°C  
4,5  
5,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
8,40  
0,56  
52,0  
3,40  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,125  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,53  
0,59  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,06  
0,07  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
76,0  
58,0  
6000  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
16,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
13,5  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
800  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
1600  
185  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,40  
1,70  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 8200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
540  
900  
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 8200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
60,0  
160  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 8200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
32,0  
76,0  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
25,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
20,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
insulation test voltage  
V𻥡  
3,0  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
AlSiC  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlN  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,2  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,1  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
8,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
15  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,10  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,3 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,7  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1000  
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approved by: Martin Schulz  
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revision: 3.1  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1600  
1600  
TÝÎ = 25°C  
1400  
V•Š = 8V  
V•Š = 9V  
1400  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 10V  
V•Š = 12V  
V•Š = 15V  
V•Š = 20V  
1200  
1000  
800  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
600  
400  
200  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,3 Â, R•ÓËË = 1,3 Â, V†Š = 600 V  
1600  
250  
TÝÎ = 25°C  
1400  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
200  
150  
100  
50  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
I† [A]  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 800 A, V†Š = 600 V  
400  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 3,3 3,3 6,6 3,3  
4
τÍ[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
R• [Â]  
5
6
7
8
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,3 Â, TÝÎ = 125°C  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
1600  
TÝÎ = 25°C  
1400  
TÝÎ = 125°C  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
600  
400  
I†, Modul  
I†, Chip  
200  
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
VŒ [V]  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
IŒ = 800 A, V†Š = 600 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â, V†Š = 600 V  
100  
100  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
80  
80  
60  
40  
20  
0
60  
40  
20  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
IŒ [A]  
0
1
2
3
4
R• [Â]  
5
6
7
8
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
i:  
1
5
2
5
3
10  
4
5
rÍ[K/kW]:  
τÍ[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich r technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes r Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten r diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gehrleistung  
übernehmen. Eine solche Gehrleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden r das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen nnte unser Produkt gesundheitsgehrdende Substanzen enthalten. Bei ckfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgehrdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir r diese lle  
- die gemeinsame Durchhrung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einhrung von Mnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Mnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
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granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
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and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
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prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

FZ800R06KF3 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V( BR ) CES | 800A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

INFINEON

FZ800R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

ETC

FZ800R12KF1 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V( BR ) CES | 800A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 2 页

ETC

FZ800R12KF4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 4 页

INFINEON

FZ800R12KL4C TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / Technical Information ] 8 页

ETC

FZ800R12KS4 IGBT -模块[ IGBT-Module ] 9 页

INFINEON

FZ800R12KS4B2NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 8 页

ETC

FZ800R12KS4V2 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

ETC

FZ800R16KF4 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.6KV V( BR ) CES | 800A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 4 页

EUPEC

FZ800R17KF6CB2 IGBT模块[ IGBT-Modules ] 9 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

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