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FZ800R12KE3

型号：

FZ800R12KE3

描述：

62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

1608 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode  
62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 800A / I†ç¢ = 1600A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
High Power Converters  
Motor Drives  
Hochleistungsumrichter  
••  
Motorantriebe  
••  
••  
••  
USV-Systeme  
UPS Systems  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Niedrige Schaltverluste  
Low Switching Losses  
Unbeatable Robustness  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Low V†ŠÙÈÚ  
••  
••  
••  
••  
Sehr große Robustheit  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
niedriges V†ŠÙÈÚ  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
4kV AC 1min Isolationsfestigkeit  
Gehäuse mit CTI > 400  
Große Luft- und Kriechstrecken  
Hohe Stromdichte  
4kV AC 1min Insulation  
Package with CTI > 400  
High Creepage and Clearance Distances  
High Power Density  
••  
••  
••  
••  
••  
••  
Isolierte Bodenplatte  
Isolated Base Plate  
Standardgehäuse  
Standard Housing  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
material no: 23968  
UL approved (E83335)  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1200  
800  
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
1600  
3550  
+/-20  
A
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
total power dissipation  
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
7,40  
0,94  
56,0  
2,30  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,24  
0,25  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,19  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,91 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,79  
0,80  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,91 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,12  
0,20  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 85 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
57,0  
85,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 85 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 0,91 Â  
TÝÎ = 25°C  
83,0  
125  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
3200  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,035 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,016  
K/W  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
800  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
1600  
75000  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,20 2,75  
1,90  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 5000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
300  
450  
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 5000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
35,0  
95,0  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 5000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
13,0  
38,0  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,06 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,027  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
4,0  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
19,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
10,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
0,01  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/W  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
16  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,50  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
3,00  
-
6,00 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,1  
2,5  
-
-
2,0 Nm  
5,0 Nm  
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
Gewicht  
weight  
340  
g
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1600  
1600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 19V  
V•Š = 17V  
V•Š = 15V  
V•Š = 13V  
V•Š = 11V  
V•Š = 9V  
1400  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3.6 Â, R•ÓËË = 0.91 Â, V†Š = 600 V  
1600  
280  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
260  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1400  
240  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
60  
40  
20  
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
I† [A]  
prepared by: MK  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
approved by: WR  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 800 A, V†Š = 600 V  
1000  
0,1  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,01  
i:  
rÍ[K/W]: 0,00067  
τÍ[s]:  
1
2
0,002  
0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499  
3
0,01763 0,0147  
4
0,001  
0,001  
0
4
8
12  
16 20  
R• [Â]  
24  
28  
32  
36  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.91 Â, TÝÎ = 125°C  
1800  
1600  
I†, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1600  
1400  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0  
0,4  
0,8  
1,2  
1,6  
VŒ [V]  
2,0  
2,4  
2,8  
3,2  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
IŒ = 800 A, V†Š = 600 V  
R•ÓÒ = 3.6 Â, V†Š = 600 V  
50  
45  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
IŒ [A]  
0
4
8
12  
16 20  
R• [Â]  
24  
28  
32  
36  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
0,1  
ZÚÌœ† : Diode  
0,01  
i:  
rÍ[K/W]: 0,0011  
τÍ[s]:  
1
2
0,0034  
0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499  
3
0,0303 0,0252  
4
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
Infineon  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KE3  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
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product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).  
For those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
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prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-11  
revision: 3.0  
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厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ800R06KF3 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 800A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ800R12KF1 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ800R12KF4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 4 页

INFINEON

 		FZ800R12KL4C TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / Technical Information ] 8 页

ETC

 		FZ800R12KS4 IGBT -模块[ IGBT-Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ800R12KS4B2NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 8 页

ETC

 		FZ800R12KS4V2 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

EUPEC

 		FZ800R12KS4_B2 与铝碳化硅基板和短尾巴IGBT2的高开关频率高功率模块[ High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency ] 8 页

ETC

 		FZ800R16KF4 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.6KV V（ BR ） CES | 800A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 800A I(C) ] 4 页

EUPEC

 		FZ800R17KF6CB2 IGBT模块[ IGBT-Modules ] 9 页

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