请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ1200R17KF6CB2

型号：

FZ1200R17KF6CB2

描述：

Hochstzulassige Werte /最大额定值[ Hochstzulassige Werte / Maximum rated values ]

品牌：

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数：

9 页

PDF大小：

174 K

下载PDF手册
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
1700  
V
TC = 80 °C  
TC = 25 °C  
IC,nom.  
IC  
1200  
1950  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t
P = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
2400  
9,6  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
1200  
2400  
380  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
tp = 1 ms  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
kA2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
4
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
VCE sat  
2,6  
3,1  
3,1  
3,6  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I
C = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE(th)  
4,5  
5,5  
14,5  
79  
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
V
GE = -15V ... +15V  
QG  
µC  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Cres  
ICES  
4
nF  
5
mA  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
400  
nA  
prepared by: A. Wiesenthal  
date of publication: 05.04.2001  
revision: 1 (preliminary)  
approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001  
1(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
IC = 1200A, VCE = 900V  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
V
GE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C  
C = 1200A, VCE = 900V  
GE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C  
C = 1200A, VCE = 900V  
GE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C  
C = 1200A, VCE = 900V  
GE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C  
C = 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V  
G = 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH  
IC = 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V  
G = 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH  
P £ 10µsec, VGE £ 15V  
td,on  
0,3  
0,3  
µs  
µs  
I
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
V
tr  
0,16  
0,16  
µs  
µs  
I
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
V
td,off  
1,1  
1,1  
µs  
µs  
I
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
V
tf  
0,13  
0,14  
µs  
µs  
I
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
R
Eon  
330  
480  
mWs  
mWs  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
R
Eoff  
t
Kurzschlußverhalten  
SC Data  
TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt  
ISC  
4800  
12  
A
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LsCE  
nH  
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip  
module lead resistance, terminals - chip  
RCC´+EE´  
pro Zweig / per arm  
0,08  
mW  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Diode / Diode  
IF = 1200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Durchlaßspannung  
VF  
IRM  
Qr  
2,1  
2,1  
2,5  
2,5  
V
V
forward voltage  
IF = 1200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
V
R = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
F = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec  
R = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
F = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec  
R = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
970  
A
A
1130  
I
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
V
200  
380  
µAs  
µAs  
I
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
V
Erec  
110  
210  
mWs  
mWs  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
2(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
min. typ. max.  
RthJC  
Transistor / transistor, DC  
Diode/Diode, DC  
0,013  
0,025  
K/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
K/W  
pro Modul / per module  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCK  
0,008  
K/W  
lPaste = 1 W/m*K  
/
lgrease = 1 W/m*K  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj  
150  
125  
125  
°C  
°C  
°C  
Betriebstemperatur  
operation temperature  
Tvj op  
-40  
-40  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Tstg  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
internal insulation  
AlN  
17  
Kriechstrecke  
creepage distance  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance  
10  
CTI  
275  
comperative tracking index  
M1  
M2  
5
Nm  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
terminals M4  
terminals M8  
2
Nm  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
8 - 10  
Gewicht  
weight  
G
1050  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.  
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
valid in combination with the belonging technical notes.  
3(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie (typisch)  
Output characteristic (typical)  
IC = f (VCE)  
VGE = 15V  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
600  
400  
200  
0
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
VCE [V]  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
5,0  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
Output characteristic (typical)  
IC = f (VCE)  
Tvj = 125°C  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
600  
400  
200  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
5,0  
VCE [V]  
4(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
Transfer characteristic (typical)  
IC = f (VGE)  
VCE = 20V  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
600  
400  
200  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
VGE [V]  
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)  
Forward characteristic of inverse diode (typical)  
IF = f (VF)  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
600  
400  
200  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
VF [V]  
5(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
                                                                                                                                                                        
                                                                                                                                                                         
                                                                                                                   
                                                                                                                    
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
Rgon = Rgoff =1,2 9, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V  
1200  
Eoff  
Eon  
Erec  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
400  
800  
1200  
1600  
2000  
2400  
IC [A]  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
IC = 1200A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V  
1400  
Eon  
Eoff  
Erec  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
2
4
6
8
10  
RG [9]  
6(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
Zth:Diode  
Zth:IGBT  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [sec]  
1
2
3
4
i
ri [K/kW]  
: IGBT  
: IGBT  
: Diode  
: Diode  
1,25  
0,003  
2,46  
0,003  
6,15  
0,05  
2,6  
3
Ji [sec]  
ri [K/kW]  
Ji [sec]  
0,1  
0,95  
4,57  
0,75  
13,4  
4,57  
0,45  
0,045  
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA)  
Rg = 1,2 Ohm, Tvj= 125°C  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
IC,Modul  
IC,Chip  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
VCE [V]  
7(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1200 R 17 KF6C B2  
Äußere Abmessungen / external dimensions  
8(8)  
FZ1200R17KF6CB2_V.xls  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen  
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die  
Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for  
any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于达普

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：smail@ic72.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

达普官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.238219s