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FZ1000R33HL3B60BOSA1

型号：

FZ1000R33HL3B60BOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

556 K

下载PDF手册
FZ1000R33HL3  
IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode  
IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode  
VCES = 3300V  
IC nom = 1000A / ICRM = 2000A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Chopper-Anwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• Chopperꢀapplications  
• Mediumꢀvoltageꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
• Traktionsumrichter  
• USV-Systeme  
• Tractionꢀdrives  
• UPSꢀsystems  
• Windgeneratoren  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• GroßeꢀDC-Festigkeit  
ElectricalꢀFeatures  
• HighꢀDCꢀstability  
• HoheꢀKurzschlussrobustheit  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• Highꢀshort-circuitꢀcapability  
• LowꢀVCEsat  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Unbeatableꢀrobustness  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀhousing  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.2  
www.infineon.com  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = -40°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3300  
VCES  
IC nom  
ICRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 95°C, Tvj max = 150°C  
tP = 1 ms  
1000  
2000  
+/-20  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2,40 2,85  
2,95 3,50  
3,10  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V  
Tvj = 25°C  
VGEth  
QG  
5,20 5,80 6,40  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
28,0  
0,63  
190  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
4,00  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,4 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,50  
0,50  
0,50  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,4 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,55  
0,55  
0,55  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
4,10  
4,30  
4,30  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,40  
0,40  
0,40  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V, LS = 85 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 0,75 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
1550  
2150  
2400  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1000 A, VCE = 1800 V, LS = 85 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 1550 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF  
Tvj = 25°C  
1600  
1950  
2050  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
4300  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
11,1 K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
14,5  
K/kW  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = -40°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3300  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
1000  
2000  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
375  
325  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Tvj = 125°C  
1600  
10,0  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2,25 2,85  
2,20 2,75  
2,20  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
1100  
1200  
1250  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
1000  
1750  
1950  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
1100  
2100  
2500  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
19,8 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
16,5  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
3
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC  
Tvj = 25°C, 100 fit  
VISOL  
VISOL  
VCE D  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
6,0  
2,6  
ꢀ kV  
ꢀ kV  
Teilentladungs-Aussetzspannung  
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
DCꢀstability  
2100  
ꢀ
ꢀ
V
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
AlSiC  
32,2  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
9,0  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
0,19  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
150  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
800  
Datasheet  
4
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
2000  
2000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ4.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ220  
nF  
2000  
9000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
8000  
Eoff, Tvj = 125°C  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
600  
400  
200  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
VGE [V]  
IC [A]  
Datasheet  
5
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ220ꢀnF  
12000  
100  
Eon, Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,36 5,618 2,629 1,49  
τi[s]:  
0,002 0,036 0,227 4,942  
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ4.1ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C,ꢀCGEꢀ=ꢀ220ꢀnF  
2500  
2000  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
2000  
1500  
1000  
500  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
VCE [V]  
VF [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
3000  
3000  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
2700  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
600  
300  
300  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
IF [A]  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
2500  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
2000  
1500  
1000  
500  
0
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,915 5,496 8,721 2,631  
τi[s]:  
0,002 0,017 0,095 4,5  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
VR [V]  
Datasheet  
7
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
FZ1000R33HL3  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Datasheet  
8
Vꢀ3.2  
2016-11-21  
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG  
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,  
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,  
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,  
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,  
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,  
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™  
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015  
ꢀ
OtherꢀTrademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2016-11-21  
©ꢀ2016ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  
AllꢀRightsꢀReserved.  
Publishedꢀby  
InfineonꢀTechnologiesꢀAG  
81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem  
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon  
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour  
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ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

GOOD-ARK

 		FZ1120 [ Zener Diode, ] 4 页

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