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FZ1000R33HE3

型号：

FZ1000R33HE3

描述：

IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

466 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode  
IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 3300V  
I† ÒÓÑ = 1000A / I†ç¢ = 2000A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
Chopper-Anwendungen  
Mittelspannungsantriebe  
Motorantriebe  
Chopper Applications  
Medium Voltage Converters  
Motor Drives  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Traktionsumrichter  
USV-Systeme  
Traction Drives  
UPS Systems  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Große DC-Festigkeit  
High DC Stability  
•
•
•
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender  
Kurzschlussstrom  
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
Circuit Current  
Niedrige Schaltverluste  
Niedriges V†ŠÙÈÚ  
Low Switching Losses  
Low V†ŠÙÈÚ  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Sehr große Robustheit  
TÝÎ ÓÔ = 150°C  
Unbeatable Robustness  
TÝÎ ÓÔ = 150°C  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
Lastwechselfestigkeit  
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling  
Capability  
•
•
Gehäuse mit CTI > 400  
IHM B Gehäuse  
Package with CTI > 400  
IHM B Housing  
•
•
•
•
•
•
Isolierte Bodenplatte  
Isolated Base Plate  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
material no: 28113  
UL approved (E83335)  
1
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = -50°C  
TÝÎ = -40°C  
TÝÎ = 150°C  
3200  
3300  
3300  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 95°C, TÝÎ = 150°C  
t« = 1 ms  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1000  
2000  
9,60  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
kW  
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 1000 A, V•Š = 15 V  
I† = 1000 A, V•Š = 15 V  
I† = 1000 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
2,55 3,10  
3,00 3,45  
3,15  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 48,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 1800V  
TÝÎ = 25°C  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
28,0  
0,63  
190  
4,00  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 3200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,60  
0,60  
0,60  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,55  
0,55  
0,55  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,3 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
3,00  
3,20  
3,20  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,3 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,30  
0,35  
0,35  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V, L» = 85 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
1250  
1700  
1950  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
R•ÓÒ = 0,71 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 1000 A, V†Š = 1800 V, L» = 85 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 2100 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
1050  
1400  
1550  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓËË  
R•ÓËË = 2,3 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 2500 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
4200  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
13,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
14,5  
K/kW  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
2
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = -50°C  
TÝÎ = -40°C  
TÝÎ = 150°C  
3200  
3300  
3300  
Vçç¢  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
1000  
2000  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
260  
245  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
TÝÎ = 125°C  
P笢  
tÓÒ ÑÍÒ  
1600  
10,0  
kW  
µs  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 1000 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1000 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1000 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
3,10 3,85  
2,75 3,25  
2,65  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 1000 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1000  
1200  
1250  
A
A
A
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 1000 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
450  
900  
1050  
µC  
µC  
µC  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 1000 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
450  
1100  
1300  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
22,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
16,5  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
3
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
6,0  
2,6  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ ù 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Vš»¥¡  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
V†Š ‡  
2100  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
AlSiC  
32,2  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,1  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
LÙ†Š  
> 400  
min. typ. max.  
9,0  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,19  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-50  
-55  
150  
150  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
800  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
4
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 15 V  
2000  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
600  
400  
400  
200  
200  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0.71 Â, R•ÓËË = 2.3 Â, V†Š = 1800  
V, C•Š = 220 nF  
2000  
7000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
1800  
6000  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1600  
5000  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
4000  
3000  
2000  
1000  
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
I† [A]  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 1000 A, V†Š = 1800 V, C•Š = 220 nF  
10000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 1,07 8,34 2,8 0,84  
4
τÍ[s]:  
0,004 0,045 0,5 1  
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4 5  
R• [Â]  
6
7
8
9
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2.3 Â, TÝÎ = 150°C, C•Š = 220 nF  
2500  
2000  
I†, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 150°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
1800  
2000  
1500  
1000  
500  
0
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5  
VŒ [V]  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
6
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 0.71 Â, V†Š = 1800 V  
IŒ = 1000 A, V†Š = 1800 V  
2000  
2000  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
1800  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
IŒ [A]  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
safe operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 150°C  
100  
2500  
ZÚÌœ† : Diode  
Iç, Modul  
2000  
1500  
1000  
500  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 3,85 13,86 3,3 0,99  
4
τÍ[s]:  
0,004 0,05 0,44 1  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
Vç [V]  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
7
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: JB  
approved by: TS  
date of publication: 2010-07-16  
revision: 2.2  
8
Technische Information / technical information  
FZ1000R33HE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
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revision: 2.2  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

GOOD-ARK

 		FZ1120 [ Zener Diode, ] 4 页

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