FZ 1050 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
DC-collector current
VCES
IC
1200 V
1050 A
2100 A
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
IF
tC=25°C, Transistor /transistor
7 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
± 20 V
1050 A
2100 A
2,5 kV
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
2,7
3,3
5,5
80
max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC=1050A, vGE=15V, Tvj=25°C
iC=1050A, vGE=15V, Tvj=125°C
vCE sat
-
3,2 V
3,9 V
6,5 V
- nF
-
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
iC=42mA, vCE=vGE, Tvj=25°C
vGE(th)
Cies
4,5
fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V
-
-
-
-
-
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C
iCES
14
- mA
85
- mA
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (ohmsche Last)
gate leakage current
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, Tvj=25°C
iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V
RG=1,0W, Tvj=25°C
iGES
iEGS
ton
400 nA
400 nA
gate leakage current
turn-on time (resistive load)
-
-
0,7
0,8
- µs
- µs
RG=1,0W, Tvj=125°C
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V
RG=1,0W, Tvj=25°C
ts
-
-
0,9
1
- µs
- µs
RG=1,0W, Tvj=125°C
iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V
RG=1,0W, Tvj=25°C
tf
-
-
0,1
- µs
- µs
RG=1,0W, Tvj=125°C
0,15
iC = 1050 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eon
VL = ±15 V, RG = 1,0 W, Tvj = 125°C
iC = 1050 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eoff
VL = ±15 V, RG = 1,0 W, Tvj = 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
-
-
150
170
- mWs
- mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=1050A, vGE=0V, Tvj=25°C
iF=1050A, vGE=0V, Tvj=125°C
iF=1050A, -diF/dt=5,5kA/µs
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
iF=1050A, -diF/dt=5,5kA/µs
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
VF
-
-
2,2
2
2,7 V
2,5 V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
-
-
350
620
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
-
-
45
- µAs
135
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
0,018 °C/W
0,036 °C/W
pro Module / per Module
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
typ. 0,008 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
3 Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
M1
M2
terminals M4
terminals M8
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca.1500 g
Gewicht
weight
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vCEM = 900 V
vL = ±15 V
RGF = RGR = 1,0 W
Tvj = 125°C
i
CMK1 » 9000 A
CMK2 » 7000 A
i
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
