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PZT159

型号：

PZT159

描述：

PNP硅平面高电流晶体管[ PNP Silicon Planar High Current Transistor ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

4 页

PDF大小：

608 K

下载PDF手册
PZT159  
PNP Silicon Planar High Current Transistor  
P b  
COLLECTOR  
2, 4  
SOT-223  
Lead(Pb)-Free  
4
1. BASE  
BASE  
1
2.COLLECTOR  
1
3.EMITTER  
4.COLLECTOR  
2
3
3
EM ITTER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
(T =25 C)  
A
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
-100  
Collector to Base Voltage  
CBO  
V
V
-60  
CEO  
Collector to Emitter Voltage  
Collector to Base Voltage  
Collector Current  
V
A
-6  
V
EBO  
I (DC)  
C
-5  
-15  
I (Pulse)  
C
A
Collector Current  
3
Total Device Disspation T =25°C  
P
W
˚C  
˚C  
A
D
+150  
-55 to +150  
Junction Temperature  
Storage, Temperature  
Tj  
Tstg  
*Device mounted in a typical manner on a P.C.B with copper 4 inches x 4 inches(min).  
Device Marking  
PZT159 =159  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =-100µA, I =0  
Symbol  
Min  
Max  
Max  
Unit  
BV  
BV  
BV  
I
-100  
-
-
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)  
I =-10mA, I =0  
-60  
-6  
-
-
-
-
C
B
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =-100µA, I =0  
E
C
Collector Cut-Oꢀ Current  
=-80V, I =0  
-
-
-
-
-
-
-50  
-50  
-10  
nA  
nA  
nA  
CBO  
V
CB  
E
Collector Cut-Oꢀ Current  
=-60V  
I
CES  
V
CES  
Emitter-Cut-Oꢀ Current  
I
EBO  
V =-6V, I =0  
EB  
C
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/4  
11-Jul-07  
PZT159  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25˚C Unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ON CHARACTERISTICS(1)  
DC Current Gain  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
=-1V, I =-10mA  
h
100  
100  
75  
200  
200  
90  
-
C
FE1  
=-1V, I =-2A  
h
FE2  
300  
-
-
C
-
=-1V, I =-5A  
h
FE3  
C
=-1V, I =-10A  
h
FE4  
10  
25  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =-100mA, I =-10mA  
-
-
-
-
-20  
-85  
-155  
-370  
-50  
C
B
-140  
-210  
-460  
V
I =-1A, I =-100mA  
CE(sat)  
C
B
mV  
I =-2A, I =-200mA  
C
B
I =-5A, I =-500mA  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
I =-5A, I =-500mA  
V
V
BE(sat)  
V
V
-
-
-1.08  
-1.24  
-1.07  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
=-1V, I =-5A  
BE(on)  
-0.935  
V
CE  
C
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Transition Frequency  
f
MHz  
pF  
-
-
120  
74  
-
-
T
V
=-10V, I =-100mA, f=50MHz  
CE  
C
Output Capacitance  
=-10V, I =0, f=1MHz  
C
ob  
V
CB  
E
SWITCHING TIMES  
t
-
-
82  
-
-
on  
Switching Times  
ns  
V
CC  
=-10V,I =-2A, I =I =-200mA  
C B1 B2  
t
oꢀ  
350  
Note 1.Pulse Test : Pulse width < 300µs, Duty cycle ≤ 20%.  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
2/4  
11-Jul-07  
PZT159  
1.8  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
T =25˚C  
A
VCE=-1V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
+100˚C  
300  
200  
100  
n
i
a
G
l
+25˚C  
a
c
i
p
y
0.8  
0.6  
T
I /I =50  
C
B
-
N
o
r
m
a
l
i
s
e
d
G
a
i
n
-
0.6  
0.4  
I /I =10  
C
B
h
h
-55˚C  
0.4  
0.2  
0.0  
0.2  
0.0  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
Collector Current(A)  
Collector Current(A)  
Fig.1 Current Gain - Collector Current  
Fig.2 Saturation Voltage - Collector Current  
1.8  
1.8  
IC / IB=10  
IC / IB=10  
1.6  
1.6  
1.4  
1.4  
1.2  
-55˚C  
)
s
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
t
l
( V )  
o
+25˚C  
V
1.0  
(
+100˚C  
-55˚C  
-
0.8  
+25˚C  
V
V
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
+175˚C  
0.4  
0.2  
0.0  
+175˚C  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
Collector Current(A)  
Collector Current(A)  
Fig.3 Saturation Voltage - Collector Current  
Fig.4 Saturation Voltage - Collector Current  
100  
T =25˚C  
A
1.8  
VCE=-1V  
1.6  
1.4  
( A )  
10  
1
t
0.1ms  
-55˚C  
n
1.2  
100ms  
10ms  
1s  
e
r
+25˚C  
r
-
( V o l t s )  
u
1.0  
0.8  
0.6  
D.C.  
C
+100˚C  
1.0ms  
r
o
t
c
e
V
l
l
o
C
0.4  
0.2  
0.0  
+175˚C  
0.1  
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
1
10  
100  
Collector Current(A)  
Collector Emitter Current(A)  
Fig.5 On Voltage - Collector Current  
Fig.6 Safe Operating Area  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
3/4  
11-Jul-07  
PZT159  
SOT-223 Outline Dimensions  
unit:mm  
MILLIMETERS  
A
F
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
MIN  
6.30  
3.30  
1.50  
0.60  
2.90  
2.20  
MAX  
6.70  
3.70  
1.75  
0.89  
3.20  
2.40  
4
S
B
1
2
3
D
0.020 0.100  
L
G
0.24  
1.50  
0.85  
0
0.35  
2.00  
1.05  
10  
J
C
M
M
S
H
K
6.70  
7.30  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/4  
11-Jul-07  
厂商 型号 描述 页数 下载

SECOS

 		PZT13003 1.5A ， 700V NPN硅中功率晶体管[ 1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT157 PNP晶体管的硅平面高性能晶体管[ PNP Transistor Silicon Planar High Performance Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT158 硅平面高电流晶体管[ Silicon Planar High Current Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT159 高电流晶体管[ High Current Transistor ] 2 页

UTC

 		PZT1816 HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816G-X-AA3-R HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816L-X-AA3-R HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816_15 [ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

SECOS

 		PZT194 硅平面中功率晶体管[ Silicon Planar Medium Power Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT195 中功率晶体管[ Medium Power Transistor ] 2 页

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