PZT2907 / PZT2907A
PZT2907 / PZT2907A
Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors
Si-Epitaxie-Planar-Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
PNP
PNP
Version 2006-05-09
Power dissipation
Verlustleistung
1.3 W
6.5±0.2
3±0.1
1.65
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-223
0.04 g
4
Type
Code
Weight approx.
Gewicht ca.
3
1
2
0.7
2.3
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
3.25
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1 = B 2/4 = C 3 = E
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
PZT2907
PZT2907A
60 V
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-volt. - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
E open
B open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
40 V
60 V
60 V
5 V
1.3 W 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-cutoff current – Kollektor-Reststrom
IE = 0, - VCB = 50 V
PZT2907
- ICBO
–
–
–
–
20 nA
10 nA
PZT2907A - ICBO
PZT2907 - ICBO
PZT2907A - ICBO
IE = 0, - VCB = 50 V, Tj = 150°C
–
–
–
–
20 µA
10 µA
Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom
IC = 0, - VEB = 3 V
- IEBO
–
–-
10 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 150 mA, - IB = 15 mA
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA
- VCEsat
- VCEsat
–
–
–
–
0.4 V
1.6 V
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 150 mA, - IB = 15 mA
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA
PZT2907
PZT2907A - VBEsat
- VBEsat
–
–
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
