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FZ1800R17HE4B9NPSA1

型号：

FZ1800R17HE4B9NPSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

907 K

下载PDF手册
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
IHM-Bꢀ模块  
IHM-Bꢀmodule  
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 1800A / ICRM = 3600A  
典型应用  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• 大功率变流器  
• 电机传动  
电气特性  
ElectricalꢀFeatures  
• 提高工作结温ꢀTvjꢀop  
• 低开关损耗  
• 低ꢀꢀVCEsat  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
机械特性  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀ交流ꢀꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘  
• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• 高爬电距离和电气间隙  
• 高功率密度  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• IHMꢀBꢀ封装  
• IHMꢀBꢀHousing  
• 铜基板  
• CopperꢀBaseꢀPlate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
集电极－发射极电压  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
Ptot  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
1800  
3600  
11,5  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Collector-emitterꢀvoltage  
连续集电极直流电流  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 100°C, Tvj = 175°C  
集电极重复峰值电流  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
总损耗  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj = 175°C  
ꢀ kW  
栅极－发射极峰值电压  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
集电极－发射极饱和电压  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1800 A, VGE = 15 V  
IC = 1800 A, VGE = 15 V  
IC = 1800 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,95 2,30  
2,35  
2,45  
V
V
V
VCE sat  
栅极阈值电压  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 72,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,2  
5,8  
19,0  
1,1  
145  
4,75  
ꢀ
6,4  
V
µC  
Ω
栅极电荷  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
内部栅极电阻  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
输入电容  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
反向传输电容  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
集电极-发射极截止电流  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
栅极-发射极漏电流  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
开通延迟时间(电感负载)  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1800 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,66  
0,72  
0,73  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
µs  
上升时间(电感负载)  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1800 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,16  
0,17  
0,17  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
关断延迟时间(电感负载)  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1800 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,20  
1,35  
1,40  
µs  
µs  
µs  
下降时间(电感负载)  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1800 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,18  
0,43  
0,52  
µs  
µs  
µs  
开通损耗ꢀ(每脉冲)  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
390  
510  
560  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
关断损耗ꢀ(每脉冲）  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 2650 V/µs (Tvj=150°C) Tvj = 125°C  
RGoff = 0,68 Ω  
Tvj = 25°C  
410  
620  
680  
mJ  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C  
短路数据  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
7500  
A
结－壳热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
ꢀ
13,0 K/kW  
K/kW  
壳－散热器热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
6,80  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
2
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
反向重复峰值电压  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
1800  
3600  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
连续正向直流电流  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
正向重复峰值电流  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
I2t-值  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
590  
555  
kA²s  
kA²s  
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
正向电压  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1800 A, VGE = 0 V  
IF = 1800 A, VGE = 0 V  
IF = 1800 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,80 2,20  
1,90  
1,95  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
反向恢复峰值电流  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1800 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
1800  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2100  
2250  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
恢复电荷  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1800 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
430  
725  
830  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
反向恢复损耗（每脉冲）  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1800 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
250  
470  
540  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
结－壳热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
21,5 K/kW  
K/kW  
壳－散热器热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
7,40  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
3
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
模块ꢀ/ꢀModule  
绝缘测试电压  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0  
Cu  
ꢀ kV  
模块基板材料  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
内部绝缘材料  
Internalꢀisolation  
基本绝缘ꢀꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
ꢀ
Al2O3  
爬电距离  
Creepageꢀdistance  
如何与取得联系-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
如何与取得联系-ꢀ如何与取得联系ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
32,2  
32,2  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
电气间隙  
Clearance  
如何与取得联系-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
如何与取得联系-ꢀ如何与取得联系ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
19,1  
相对电痕指数  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 400  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
杂散电感,模块  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
LsCE  
RCC'+EE'  
Tvj max  
Tvj op  
Tstg  
ꢀ
ꢀ
6,0  
ꢀ
nH  
mΩ  
°C  
模块引线电阻,端子-芯片  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀ每个开关ꢀ/ꢀperꢀswitch  
逆变器,制动-斩波器ꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper  
逆变器,制动-斩波器ꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper  
ꢀ
0,12  
ꢀ
最大结温  
Maximumꢀjunctionꢀtemperature  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
175  
150  
150  
在开关状态下温度  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
-40  
°C  
储存温度  
Storageꢀtemperature  
°C  
模块安装的安装扭距  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
螺丝ꢀM6ꢀ根据相应的应用手册进行安装  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
4,25  
1,8  
8,0  
ꢀ
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
端子联接扭距  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
-
-
螺丝ꢀM8ꢀ根据相应的应用手册进行安装  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
G
10  
Nm  
g
重量  
Weight  
ꢀ
1900  
ꢀ
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
4
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
输出特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
输出特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
3600  
3300  
3000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
3600  
3300  
3000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
600  
600  
300  
300  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VCE [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
传输特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ(典型)  
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
3600  
3300  
3000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
1600  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
600  
300  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
600  
1200  
1800  
IC [A]  
2400  
3000  
3600  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
5
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
瞬态热阻抗ꢀꢀIGBT,ꢀ逆变器  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
3000  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
ZthJC : IGBT  
2800  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
2600  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
10  
1
600  
i:  
ri[K/kW]: 1,031 10,21 1,191 0,326  
τi[s]: 0,0016 0,04 0,226 4,01  
1
2
3
4
400  
200  
0
0,1  
0,001  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
RG [Ω]  
5,0  
6,0  
7,0  
8,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
反偏安全工作区ꢀꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（RBSOA）  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
正向偏压特性ꢀꢀ二极管,逆变器（典型)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
4400  
3600  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
600  
400  
300  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VF [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
VCE [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
6
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1800ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
1000  
800  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
900  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
700  
600  
500  
400  
300  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
200  
0
600  
1200  
1800  
IF [A]  
2400  
3000  
3600  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
RG [Ω]  
瞬态热阻抗ꢀꢀ二极管,逆变器  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
100  
ZthJC : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,439 2,075 16,52 1,365  
τi[s]: 0,0006 0,0045 0,039 0,513  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
7
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
接线图ꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
封装尺寸ꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
8
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1800R17HE4_B9  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
使用条件和条款  
ꢀ
使用条件和条款  
产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的，您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合  
产品规格书中所描述的产品特性是被保证的，任何这种保证严格依照供货协议中所涉及的条件和条款。  
除此之外，产品和产品的特性没有任何的保证  
请注意安装及应用指南中的信息。  
如果您有超出规格书所提供的产品信息的要求或者对我们的产品针对的特殊应用有疑虑的话，请联系我们的销售部，他们将对您负责  
（详情查询ꢀwww.infineon.comꢀ）。ꢀ对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册  
由于技术需要，我们的产品可能含有危险物质。ꢀ如果需要查询类似问题请联系我们的销售部，他们将对您负责  
如果您想将我们的产品用于航天，健康，危及生命或者生命维持等应用，请申明。  
请注意，对这类应用我们强烈建议  
-ꢀ执行联合的风险和质量评估  
-ꢀ得到质量协议的结论  
-ꢀ建立联合的测试和出厂产品检查，ꢀ我们可以根据测试的实际情况供货  
如果有必要，请根据实际需要将类似的说明给你的客户  
保留产品规格书的修改权  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.1  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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