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FZ1600R12KL4CNOSA1

型号：

FZ1600R12KL4CNOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

376 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
1200VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
1200VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1200  
1200  
VCES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
1600  
2450  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
3200  
10,0  
A
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1600 A, VGE = 15 V  
IC = 1600 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,10 2,60  
2,40 2,90  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 64,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
17,0  
0,8  
110  
7,00  
ꢀ
6,5  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,28  
0,30  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,19  
0,19  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,05  
1,15  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,14  
0,15  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1600 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
210  
260  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1600 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,91 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
12000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
12,5 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
9,60  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1200  
1200  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
1600  
3200  
590  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
ꢀ kA²s  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
ꢀ
ton min  
10,0  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1600 A, VGE = 0 V  
IF = 1600 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,80 2,30  
1,70 2,20  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
900  
1450  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
150  
340  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
60,0  
115  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
16,0  
ꢀ
21,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5  
ꢀ kV  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
ꢀ
Al2O3  
17,0  
ꢀ
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
10,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 275  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
ꢀ
ꢀ
6,00  
12  
K/kW  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
RCC'+EE'  
ꢀ
0,19  
mΩ  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
ꢀ
125 °C  
5,75 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
-
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,7  
8,0  
-
-
2,3 Nm  
10 Nm  
M
G
Gewicht  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1500  
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
3200  
3200  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 17 V  
VGE = 15 V  
VGE = 13 V  
VGE = 11 V  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
VGE  
VGE  
=
=
9 V  
7 V  
400  
400  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
3200  
700  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
400  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
1400  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,375 4,375 2,5 1,25  
τi[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
0,1  
0,001  
0
2
4
6
8
10  
12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
3600  
3200  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3200  
2800  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
400  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VF [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
VCE [V]  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.91ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
140  
140  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
IF [A]  
0
2
5
7
10  
12  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
100  
ZthJC : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 7,35 7,35 4,2 2,1  
τi[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12KL4C  
Nutzungsbedingungen  
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02  
revision:ꢀ3.1  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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