请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ1600R17KF6CB2NOSA1

型号：

FZ1600R17KF6CB2NOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

633 K

下载PDF手册
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
1700VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
1700VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
集电极－发射极电压  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1700  
1700  
VCES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
连续集电极直流电流  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
1600  
2600  
A
A
集电极重复峰值电流  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
3200  
12,5  
A
总功率损耗  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
ꢀ kW  
栅极－发射极峰值电压  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/- 20  
ꢀ
V
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
集电极－发射极饱和电压  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1600 A, VGE = 15 V  
IC = 1600 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,60 3,10  
3,10 3,60  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
栅极阈值电压  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 130 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
19,0  
0,66  
105  
5,30  
6,5  
V
µC  
Ω
栅极电荷  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
内部栅极电阻  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
输入电容  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
反向传输电容  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
集电极-发射极截止电流  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
0,04 3,0 mA  
栅极-发射极漏电流  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
开通延迟时间(电感负载)  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,30  
0,30  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
上升时间(电感负载)  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,19  
0,19  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
关断延迟时间(电感负载)  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,20  
1,20  
µs  
µs  
下降时间(电感负载)  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1600 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,15  
0,16  
µs  
µs  
开通损耗能量ꢀ(每脉冲)  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
430  
670  
关断损耗能量ꢀ(每脉冲）  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,9 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
短路数据  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V  
ISC  
ꢀ
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
6400  
A
结－外壳热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
10,0 K/kW  
K/kW  
外壳－散热器热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
13,0  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
在开关状态下温度  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
1
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
反向重复峰值电压  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1700  
1700  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
连续正向直流电流  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
1600  
正向重复峰值电流  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
3200  
660  
I2t-值  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
ꢀ kA²s  
ꢀ µs  
最小开通时间  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
ꢀ
ton min  
10,0  
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
正向电压  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1600 A, VGE = 0 V  
IF = 1600 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,10 2,50  
2,10 2,50  
V
V
VF  
反向恢复峰值电流  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
1400  
1700  
A
A
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
恢复电荷  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
300  
560  
µC  
µC  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
反向恢复损耗（每脉冲）  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
210  
380  
mJ  
mJ  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
结－外壳热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
22,0  
ꢀ
17,0 K/kW  
K/kW  
外壳－散热器热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
在开关状态下温度  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
2
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
模块ꢀ/ꢀModule  
绝缘测试电压  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0  
ꢀ kV  
内部绝缘  
Internalꢀisolation  
基本绝缘ꢀꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
ꢀ
AlN  
ꢀ
ꢀ
爬电距离  
Creepageꢀdistance  
端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
17,0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
电气间隙  
Clearance  
端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
10,0  
相对电痕指数  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 275  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
外壳－散热器热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
每个模块ꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
RCC'+EE'  
Tstg  
ꢀ
ꢀ
8,00  
K/kW  
nH  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
杂散电感,模块  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
12  
ꢀ
ꢀ
模块引线电阻,端子-芯片  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀ每个开关ꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
0,19  
mΩ  
储存温度  
Storageꢀtemperature  
ꢀ
-40  
4,25  
ꢀ
125 °C  
5,75 Nm  
模块安装的安装扭距  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
螺丝ꢀM6ꢀ根据相应的应用手册进行安装  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
-
端子联接扭距  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
螺丝ꢀM4ꢀ根据相应的应用手册进行安装  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
螺丝ꢀM8ꢀ根据相应的应用手册进行安装  
1,8  
8,0  
-
-
2,1 Nm  
10 Nm  
M
G
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
重量  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1050  
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
3
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
输出特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
输出特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
3200  
3200  
Tvj = 25°C  
VGE = 8V  
Tvj = 125°C  
VGE = 10V  
VGE = 15V  
VGE = 20V  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
400  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
传输特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ(典型)  
开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
3200  
1600  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
1400  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
400  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
4
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
瞬态热阻抗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
2500  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
2000  
1500  
1000  
500  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 0,94 4,72 1,425 2,92  
τi[s]: 0,027 0,052 0,09 0,838  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
7
0,01  
0,1  
1
10  
100  
RG [Ω]  
t [s]  
反偏安全工作区ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（RBSOA）  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
正向偏压特性ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
3500  
3200  
IC, Chip  
IC, Modul  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2800  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VF [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
VCE [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
5
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
500  
500  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
400  
300  
200  
100  
0
400  
300  
200  
100  
0
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
IF [A]  
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]  
瞬态热阻抗ꢀ二极管,逆变器ꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
100  
ZthJC : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 7,85  
3,53  
1,12 4,52  
τi[s]:  
0,0287 0,0705 0,153 0,988  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
6
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
接线图ꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
封装尺寸ꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
7
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FZ1600R17KF6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
使用条件和条款  
ꢀ
使用条件和条款  
产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的，您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合  
产品规格书中所描述的产品特性是被保证的，任何这种保证严格依照供货协议中所涉及的条件和条款。除此之外，产品和产品的特性没有任何的保证  
请注意安装及应用指南中的信息。  
如果您有超出规格书所提供的产品信息的要求或者对我们的产品针对的特殊应用有疑虑的话，请联系我们负责你的销售部门（详情查询  
www.infineon.comꢀ）。对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册  
由于技术需要，我们的产品可能含有危险物质。如果需要查询类似问题请联系我们负责你的销售部门  
如果您想将我们的产品用于航天，健康，危及生命或者生命维持等应用，请申明。  
请注意，对这类应用我们强烈建议  
-执行联合的风险和质量评估  
-得到质量协议的结论  
-ꢀ建立联合的测试和出厂产品检查，ꢀ我们可以根据测试的实际情况供货  
如果有必要，请根据实际需要将类似的说明给你的客户  
保留产品规格书的修改权  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.1  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于达普

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：smail@ic72.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

达普官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.248938s