FZ 1800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Period. Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
VCES
IC
1200 V
1800 A
3600 A
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
tC=25°C, Transistor
11 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
+/- 20 V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
1800 A
3600 A
2,5 kV
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulating test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
min.
typ.
2,7
3,3
5,5
135
max
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Koll.-Emitter Sättigungsspannung
coll.-emitter saturation voltage
iC=1,8kA, vGE=15V, tvj=25°C
iC=1,8kA,vGE=15V,tvj=125°C
iC=72mA,vCE=vGE,tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,
vGE=0
vCE sat
-
-
3,2 V
3,9 V
6,5 V
- nF
Gate-Schwellspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
vGE(th)
Cies
4,5
-
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1200V,vGE=0V,tvj=25°C
vCE=1200V,vGE=0V,tvj=125°C
iCES
-
-
-
-
30 mA
300 mA
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (ohmsche Last)
gate leakage current
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=1,8kA,vCE=600V,vL=15V
iGES
iEGS
ton
-
-
-
-
400 nA
400 nA
gate leakage current
turn-on time (resistive load)
W
-
-
-
-
- µs
- µs
vL=15V,RG=0,43 ,tvj=25°C
tvj=125°C
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time
iC=1,8kA,vCE=6 V,v =15V
00
ts
L
W
-
-
-
-
- µs
- µs
vL=15V,RG=0,43 ,tvj=25°C
tvj=125°C
fall time (inductive load)
iC=1,8kA,vCE=6 V,v =15V
00
tf
L
W
-
-
-
-
- µs
- µs
vL=15V,RG=0,43 ,tvj=25°C
tvj=125°C
Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10µs
VCC
=
750V
vL = ± 15V
vCEM
=
900V
W
iCMK1 = 18000V
iCMK2 = 13500V
RGF = RGR =0,43
tvj = 125°C
Unabhängig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
vCEM = VCES - 12nH . |diC/dt|
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
forward voltage
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=25°C
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=125°C
iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs
VF
-
-
2,2
2
2,7 V
2,5 V
peak reverse recovery current
IRM
vRM=6 V,vEG=10V,tvj=25°C
00
-
-
-
-
- A
- A
vRM=600V,vEG=10V,tvj=125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs
vRM=600V,vEG=10V,tvj=25°C
Qr
-
-
-
-
- µAs
- µAs
vRM=6 V,vEG=10V,tvj=125°C
00
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resist., junction to case
Transistor / transistor, DC
Diode, DC
RthJC
0,011 °C/W
0,024 °C/W
0,006 °C/W
150 °C
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemp.
Betriebstemperatur
thermal resist., case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
pro Module / per Module
Transistor
RthCK
tvj max
tc op
Transistor / transistor
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite / page
1
Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehm. f. mech. Befest.
Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl.
mounting torque
M1
M2
3 Nm
terminal connection torque
terminals M4
terminals M8
2 Nm
8...10 Nm
ca.2300 g
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/764-0, Telefax /764-
256
