IGBT-Module
FZ 1200 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
DC-collector current
VCES
IC
1600 V
1200 A
2400 A
7800 W
± 20 V
1200 A
2400 A
3,4 kV
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
IF
tC=25°C, Transistor /transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
min.
typ.
max.
3,9 V
iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=25°C
iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=125°C
iC=80mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
vCE sat
-
3,5
4,6
5,5
180
8
-
5 V
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
vGE(TO)
Cies
4,5
6,5 V
-
-
-
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C
iCES
- mA
- mA
80
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V
iGES
iEGS
ton
-
-
-
-
400 nA
400 nA
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
W
RG=1,8 , tvj=25°C
-
-
0,8
1
- µs
- µs
W
RG=1,8 , tvj=125°C
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V
ts
W
RG=1,8 , tvj=25°C
-
-
1,1
1,3
- µs
- µs
W
RG=1,8 , tvj=125°C
iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V
tf
W
RG=1,8 , tvj=25°C
-
-
0,25
0,3
- µs
- µs
W
RG=1,8 , tvj=125°C
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V
Eon
Eoff
W
RG=1,8 , tvj=125°C, LS=70nH
-
-
490
290
- mWs
- mWs
2,8 V
turn-off energy loss per pulse
iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V
W
RG=1,8 , tvj=125°C, LS=70nH
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=1200A, vGE=0V, tvj=25°C
iF=1200A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=1,2kA, -diF/dt=6kA/µs
vF
-
-
2,4
2,2
- V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
iF=1,2kA, -diF/dt=6kA/µs
-
-
460
640
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
-
-
100
220
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
RthJC
0,016 °C/W
0,04 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
pro Module / per Module
RthCK
tvj max
tc op
0,008 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
3 Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
terminals M6 / tolerance ±10%
terminals M4 / tolerance +5/-10%
terminals M8
M1
M2
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 1000 V
vCEM = 1300 V
iCMK1 » 12000 A
iCMK2 » 9000 A
vL = ±15V
RGF = RGR = 1,8 W
tvj = 125°C
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions CEM = VCES - 15nH x |dic/dt|
v
