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UZHCS506

型号：

UZHCS506

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

100 K

下载PDF手册
SOT23 SILICON HIGH CURRENT  
SCHOTTKY BARRIER DIODE “SuperBAT”  
ZHCS506  
ISSUE 1 - September 1997  
✪
FEATURES:  
1
•
Low VF  
C
•
High Current Capability  
2
1
APPLICATIONS:  
•
•
•
DC - DC converters  
Mobile telecomms  
PCMCIA  
A
3
PARTMARK DETAIL: S56  
3
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VALUE  
60  
UNIT  
V
Continuous Reverse Voltage  
Forward Current (Continuous)  
Forward Voltage @ IF = 500mA  
Average Peak Forward Current; D.C. = 50%  
IF  
500  
mA  
mV  
mA  
VF  
630  
IFAV  
IFSM  
1000  
5.5  
2.5  
A
A
Non Repetitive Forward Current t≤100µs  
t≤10ms  
Power Dissipation at Tamb= 25° C  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
Ptot  
Tstg  
Tj  
330  
-55 to + 150  
125  
mW  
° C  
° C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25° C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)R  
MIN.  
60  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Reverse Breakdown  
Voltage  
80  
V
IR= 200µA  
Forward Voltage  
VF  
275  
320  
415  
550  
680  
820  
310  
360  
470  
630  
800  
960  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
IF= 50mA*  
IF= 100mA*  
IF= 250mA*  
IF= 500mA*  
IF= 750mA*  
IF= 1000mA*  
IF= 1500mA*  
IF= 500mA, Tamb= 100° C*  
1120 1350  
565  
Reverse Current  
IR  
20  
40  
VR= 45V  
µA  
pF  
ns  
Diode Capacitance  
CD  
trr  
20  
10  
f= 1MHz,VR= 25V  
switched from  
IF = 500mA to IR  
Measured at IR  
Reverse Recovery  
Time  
=
500mA  
=
50mA  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width= 300µs; duty cycle ≤2%.  
ZHCS506  
1
100m  
10m  
1m  
10m  
1m  
+125°C  
+100°C  
100u  
10u  
1u  
+50°C  
+25°C  
+125°C  
+25°C  
-55°C  
100n  
10n  
-55°C  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
0.6  
60  
VF - Forward Voltage (V)  
VR - Reverse Voltage (V)  
IF v VF  
IR v VR  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.6  
0.4  
0.2  
0
DC  
t
1
D=t 1/t  
p
Tj=125°C  
I F(pk)  
D=0.5  
t
p
I F(av) =DxI  
PF(av) =I  
F(pk)  
xV  
F(av)  
F
D=0.2  
D=0.1  
t
1
D=t 1/t  
p
I F(pk)  
DC  
D=0.5  
D=0.2  
D=0.1  
D=0.05  
t
p
I F(av) =DxI  
PF(av) =I  
F(pk)  
D=0.05  
xV  
F(av)  
F
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
TC - Case Temperature (°C)  
IF(av) - Avg Fwd Curr (A)  
IF(av) v TC  
PF(av) v IF(av)  
125  
95  
90  
50  
Rth=100°C/W  
Rth=200°C/W  
Rth=300°C/W  
65  
0
1
10  
100  
10  
20  
30  
40  
50  
VR - Reverse Voltage (V)  
Ta v VR  
VR - Reverse Voltage (V)  
CD v VR  
ZHCS506  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
300  
200  
100  
0
p
t
D=1  
1
D=t  
1/t  
t
p
D=0.5  
D=0.2  
Single Pulse  
D=0.1  
D=0.05  
100u  
1m  
10m  
100m  
1
10  
100  
Pulse Width (s)  
厂商 型号 描述 页数 下载

DIODES

 		UZHB6790 [ Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN ] 8 页

ZETEX

 		UZHB6790 [ Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN ] 8 页

DIODES

 		UZHB6792 [ Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN ] 7 页

DIODES

 		UZHCS1000TA [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, MINIATUER PACKAGE-3 ] 1 页

ZETEX

 		UZHCS1006 [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, Silicon, SOT-23, 3 PIN ] 3 页

DIODES

 		UZHCS1006TA [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.9A, Silicon, MINIATURE PACKAGE-3 ] 1 页

ZETEX

 		UZHCS1006TA [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.9A, Silicon, MINIATURE PACKAGE-3 ] 3 页

DIODES

 		UZHCS1006TC [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.9A, Silicon, MINIATURE PACKAGE-3 ] 1 页

DIODES

 		UZHCS2000TA [ Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, MINIATUER PACKAGE-6 ] 1 页

ZETEX

 		UZHCS350TA [ Rectifier Diode, ] 4 页

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