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FZ1600R12KL4C

型号：

FZ1600R12KL4C

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

135 K

下载PDF手册
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
1600  
2450  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t
P = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
3200  
10,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
1600  
3200  
590  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
t
P = 1 ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
kA2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
VCE sat  
-
-
2,1  
2,4  
2,6  
2,9  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I
C = 64mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE(th)  
4,5  
5,5  
17  
110  
7
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
V
GE = -15V...+15V  
QG  
-
-
-
-
-
-
µC  
nF  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
ICES  
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
-
-
0,04  
3,5  
1,5  
-
mA  
mA  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
V
CE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
-
-
600  
nA  
prepared by: Mark Münzer  
date of publication: 02.09.1999  
revision: 3  
approved by: Christoph Lübke; 16.08.2000  
1(8)  
FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
C = 1600A, VCE = 600V  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
td,on  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,28  
0,3  
-
-
µs  
µs  
I
C = 1600A, VCE = 600V  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
tr  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,19  
0,19  
-
-
µs  
µs  
I
C = 1600A, VCE = 600V  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
td,off  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C  
-
-
1,06  
1,16  
-
-
µs  
µs  
I
C = 1600A, VCE = 600V  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
tf  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,14  
0,15  
-
-
µs  
µs  
I
C = 1600A, VCE = 600V, VGE = 15V  
RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH  
C = 1600A, VCE = 600V, VGE = 15V  
RG = 0,91Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH  
P ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 0,91Ω  
Vj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
Eon  
Eoff  
-
-
210  
260  
-
-
mWs  
mWs  
I
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
t
Kurzschlußverhalten  
SC Data  
ISC  
T
-
-
12000  
15  
-
-
A
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LsCE  
nH  
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip  
module lead resistance, terminals – chip  
TC=25°C  
RCC‘+EE‘  
-
0,10  
-
mΩ  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Diode / Diode  
IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Durchlaßspannung  
VF  
IRM  
Qr  
-
-
1,8  
1,7  
2,3  
2,2  
V
V
forward voltage  
IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
IF = 1600A, - diF/dt = 9000A/µsec  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
V
R = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
R = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
-
-
900  
-
-
A
A
V
1450  
IF = 1600A, - diF/dt = 9000A/µsec  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
-
-
150  
340  
-
-
µAs  
µAs  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
IF = 1600A, - diF/dt = 9000A/µsec  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
Erec  
-
-
60  
-
-
mWs  
mWs  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
115  
2(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
min. typ. max.  
RthJC  
Transistor / transistor, DC  
Diode/Diode, DC  
-
-
-
-
0,0125  
0,0210  
K/W  
K/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per module  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCK  
-
0,006  
-
K/W  
°C  
λPaste = 1 W/m * K  
/ λgrease = 1 W/m * K  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj  
-
-
-
-
150  
125  
125  
Betriebstemperatur  
operation temperature  
Top  
-40  
-40  
°C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Tstg  
°C  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
internal insulation  
Al2O3  
17  
Kriechstrecke  
creepage distance  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance  
10  
CTI  
275  
5
comperative tracking index  
M1  
M2  
4,25  
5,75  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
terminals M4  
terminals M8  
1,7  
8
2
2,3  
10  
Nm  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Gewicht  
weight  
G
1500  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.  
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
valid in combination with the belonging technical notes.  
3(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Ausgangskennlinie (typisch)  
Output characteristic (typical)  
I = f (VCE)  
C
VGE = 15V  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
400  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
VCE [V]  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
Output characteristic (typical)  
I = f (VCE)  
C
Tvj = 125°C  
3200,00  
2800,00  
2400,00  
2000,00  
1600,00  
1200,00  
800,00  
400,00  
0,00  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
VGE = 7V  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
VCE [V]  
4(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
Transfer characteristic (typical)  
I = f (VGE)  
C
VCE = 20V  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
400  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
VGE [V]  
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)  
I = f (VF)  
F
Forward characteristic of inverse diode (typical)  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
400  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
VF [V]  
5(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
Rgon = Rgoff =0,91 Ω, VCE = 600V, Tj = 125°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
Eoff  
Eon  
Erec  
0
400  
800  
1200  
1600  
2000  
2400  
2800  
3200  
IC [A]  
Schaltverluste (typisch)  
E = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
on  
Switching losses (typical)  
IC = 1600A , VCE = 600V , Tj = 125°C  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
Eoff  
Eon  
Erec  
0
2
4
6
8
10  
12  
RG [Ω]  
6(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
Zth:IGBT  
Zth:Diode  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [sec]  
1
2
3
4
i
ri [K/kW]  
: IGBT  
: IGBT  
: Diode  
: Diode  
0,21  
3,98  
0,0187  
4,70  
7,32  
0,080  
2,93  
0,060  
0,99  
0,50  
τi [sec]  
ri [K/kW]  
τi [sec]  
0,00006  
0,32  
13,05  
0,50  
0,00014  
0,0218  
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 0,91Ω, Tvj= 125°C  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
IC,Modul  
IC,Chip  
400  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
VCE [V]  
7(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 1600 R 12 KL4C  
8(8)  
Seriendatenblatt_FZ1600R12KL4C  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen  
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die  
Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for  
any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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Q

R

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T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

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4

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