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FZ1500R33HE3BPSA1

型号：

FZ1500R33HE3BPSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

573 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
IHM-BꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode  
IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode  
VCES = 3300V  
IC nom = 1500A / ICRM = 3000A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Chopper-Anwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• ChopperꢀApplications  
• MediumꢀVoltageꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• Traktionsumrichter  
• USV-Systeme  
• TractionꢀDrives  
• UPSꢀSystems  
• Windgeneratoren  
• WindꢀTurbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• GroßeꢀDC-Festigkeit  
• HighꢀDCꢀStability  
• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender  
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
Kurzschlussstrom  
CircuitꢀCurrent  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• UnbeatableꢀRobustness  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling  
Lastwechselfestigkeit  
Capability  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀHousing  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = -40°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3300  
VCES  
IC nom  
ICRM  
Ptot  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 95°C, Tvj max = 150°C  
1500  
3000  
17,0  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1500 A, VGE = 15 V  
IC = 1500 A, VGE = 15 V  
IC = 1500 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2,55 3,10  
3,00 3,45  
3,15  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 72,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V  
Tvj = 25°C  
VGEth  
QG  
5,2  
5,8  
42,0  
0,42  
280  
6,00  
ꢀ
6,4  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,0 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,60  
0,60  
0,60  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,0 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,55  
0,55  
0,55  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
3,00  
3,20  
3,20  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,30  
0,35  
0,35  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V, LS = 85 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 0,47 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
1900  
2550  
2900  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1500 A, VCE = 1800 V, LS = 85 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 2100 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 1,5 Ω, CGE = 330 nF  
Tvj = 25°C  
1600  
2100  
2300  
mJ  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
6400  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
7,35 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
10,0  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = -40°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3300  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
1500  
3000  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
590  
550  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Tvj = 125°C  
2400  
10,0  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
ꢀ
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1500 A, VGE = 0 V  
IF = 1500 A, VGE = 0 V  
IF = 1500 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
3,10 3,85  
2,75 3,25  
2,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
1500  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1800  
1850  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
650  
1350  
1600  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
650  
1650  
1950  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
11,0  
ꢀ
13,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
6,0  
2,6  
ꢀ kV  
ꢀ kV  
Teilentladungs-Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  
VISOL  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
Tvj = 25°C, 100 fit  
VCE D  
2100  
ꢀ
ꢀ
V
DCꢀstability  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
ꢀ
ꢀ
AlSiC  
32,2  
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 600  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
LsCE  
ꢀ
6,0  
ꢀ
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
RCC'+EE'  
ꢀ
0,12  
ꢀ
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
ꢀ
150  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1200  
ꢀ
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
3000  
3000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
600  
300  
300  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.47ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ330  
nF  
3000  
10000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
8000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
9000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
600  
300  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
500  
1000  
1500  
IC [A]  
2000  
2500  
3000  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ330ꢀnF  
16000  
100  
Eon, Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
14000  
12000  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
10  
1
i:  
1
1
2
3
4
ri[K/kW]:  
τi[s]:  
3,869 1,46 1,002  
0,003 0,042 0,256 4,984  
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C,ꢀCGEꢀ=ꢀ330ꢀnF  
3500  
3000  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 150°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 25°C  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
0
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.47ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
3000  
3000  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
0
0
0
500  
1000  
1500  
IF [A]  
2000  
2500  
3000  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
3600  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
10  
1
i:  
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,414 6,266 2,787 1,509  
τi[s]:  
0,002 0,036 0,252 5,587  
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
VR [V]  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1500R33HE3  
Nutzungsbedingungen  
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀSB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11  
revision:ꢀ3.1  
approvedꢀby:ꢀDTS  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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