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FZ1200R17HP4B2BOSA2

型号：

FZ1200R17HP4B2BOSA2

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

556 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode  
IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode  
VCES = 1700V  
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A  
TypischeꢀAnwendungen  
• AnwendungenꢀfürꢀResonanzꢀUmrichter  
• Hochleistungsumrichter  
• Traktionsumrichter  
TypicalꢀApplications  
• Resonantꢀinverterꢀapplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• Tractionꢀdrives  
• Windgeneratoren  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀVCEsat  
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb  
• Enlargedꢀdiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• IHMꢀBꢀhousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
Ptot  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
1200  
2400  
7,80  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
TC = 100°C, Tvj max = 175°C  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gesamt-Verlustleistung  
TC = 25°C, Tvj max = 175°C  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1200 A, VGE = 15 V  
IC = 1200 A, VGE = 15 V  
IC = 1200 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,90 2,25  
2,30  
2,40  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,20 5,80 6,40  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
12,5  
1,6  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
97,0  
3,20  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1200 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,68  
0,71  
0,72  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1200 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,12  
0,13  
0,13  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1200 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,10  
1,20  
1,25  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1200 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,35  
0,52  
0,56  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 10500 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGon = 0,2 Ω  
Tvj = 25°C  
170  
245  
275  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 0,8 Ω  
Tvj = 25°C  
320  
415  
440  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
5000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
14,2 K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
16,0  
K/kW  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
1200  
2400  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
350  
330  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Tvj = 125°C  
1800  
10,0  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1200 A, VGE = 0 V  
IF = 1200 A, VGE = 0 V  
IF = 1200 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,65 2,10  
1,65  
1,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1200 A, - diF/dt = 10500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
1650  
1900  
1950  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1200 A, - diF/dt = 10500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
345  
570  
640  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1200 A, - diF/dt = 10500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
255  
425  
480  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
19,9 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
17,0  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0  
ꢀ kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
AlSiC  
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
32,2  
32,2  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
9,0  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
0,18  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
150  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
800  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
2400  
2400  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
2000  
1600  
1200  
800  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
400  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VCE [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
2400  
1000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
900  
Eoff, Tvj = 150°C  
2000  
1600  
1200  
800  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
400  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
400  
800  
1200  
IC [A]  
1600  
2000  
2400  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
1400  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1300  
1200  
1100  
1000  
900  
10  
800  
700  
600  
1
500  
400  
i:  
ri[K/kW]: 2,85  
τi[s]:  
1
2
8,34  
3
2
4
1,01  
0,00155 0,0353 0,354 5,92  
300  
200  
0,1  
0,001  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
RG [Ω]  
5,0  
6,0  
7,0  
8,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.8ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
2800  
2400  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
800  
600  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
550  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
200  
0
400  
800  
1200  
IF [A]  
1600  
2000  
2400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
2800  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 4,55  
τi[s]: 0,00135 0,0287 0,199 5,12  
1
2
3
4
10,28 3,49 1,58  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
VR [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ1200R17HP4_B2  
Publishedꢀby  
InfineonꢀTechnologiesꢀAG  
81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
©ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAGꢀ2015.  
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
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ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon  
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcan  
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21  
revision:ꢀV3.1  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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