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FZ1200R17KE3_B2

型号:

FZ1200R17KE3_B2

描述:

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌:

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数:

8 页

PDF大小:

267 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
1200  
1900  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
2400  
8,95  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 1200 A, V•Š = 15 V  
I† = 1200 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 48,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,2  
5,8  
14,0  
1,0  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
110  
3,50  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,65  
0,70  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,16  
0,20  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,30  
1,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,30  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓÒ = 1,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
240  
350  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
305  
445  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
4800  
12,0  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
14,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1700  
1200  
2400  
405  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,60 2,00  
1,70  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1400  
1500  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
355  
595  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
235  
420  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
27,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
23,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
V𻥡  
4,0  
AlSiC  
AlN  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,2  
32,2  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,1  
19,1  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
8,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
12  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,19  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter / inverter  
Wechselrichter / inverter  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
M
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4  
terminal connection torque  
1,8  
8,0  
-
-
Schraube / screw M8  
10  
Nm  
Gewicht  
weight  
G
1050  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
V•Š = 15 V  
TÝÎ = 125°C  
2400  
2400  
2200  
2200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20 V  
V•Š = 15 V  
V•Š = 12 V  
V•Š = 10 V  
2000  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
V•Š = 9 V  
V•Š = 8 V  
600  
600  
400  
400  
200  
200  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,2 Â, R•ÓËË = 1,5 Â, V†Š = 900 V  
2400  
1000  
2200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
400  
800  
1200  
I† [A]  
1600  
2000  
2400  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 1200 A, V†Š = 900 V  
2000  
100  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
10  
1
600  
400  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 2,8 2,8 5,6 2,8  
4
200  
τÍ[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]  
7
8
9
10 11 12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,5 Â, TÝÎ = 125°C  
2600  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
2400  
2200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
600  
400  
400  
I†, Modul  
I†, Chip  
200  
200  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1,2 Â, V†Š = 900 V  
IŒ = 1200 A, V†Š = 900 V  
550  
500  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
0
0
400  
800  
1200  
IŒ [A]  
1600  
2000  
2400  
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]  
7
8
9
10 11 12  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 5,4 5,4 10,8 5,4  
4
τÍ[s]:  
0,01 0,04 0,09 0,2  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17KE3_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-3-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
7
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
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Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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- the conclusion of Quality Agreements;  
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厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

FZ1000R33HE3 IHM -B模块,具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

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ETC

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