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FZ1200R12KE3

型号：

FZ1200R12KE3

描述：

Hochstzulassige Werte /最大额定值[ Hochstzulassige Werte / maximum rated values ]

品牌：

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数：

9 页

PDF大小：

205 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj= 25°C  
VCES  
1200  
V
1200  
1700  
A
A
IC, nom  
IC  
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
Tc= 80°C  
Tc= 25°C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, Tc= 80°C  
ICRM  
2400  
5,6  
A
kW  
V
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C; Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20  
1200  
2400  
300  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
tp= 1ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min.  
I²t  
k A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
-
typ.  
1,7  
2
max.  
2,15  
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
collector emitter satration voltage  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,  
t.b.d.  
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,  
5
-
5,8  
11,5  
86  
4
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V; VCE=...V  
-
-
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
-
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
-
-
Kollektor Emitter Reststrom  
collector emitter cut off current  
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,  
ICES  
-
-
5
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
IGES  
-
-
400  
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer  
approved: SM TM; Christoph Lübke  
date of publication: 2002-07-29  
revision: 2.0  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
1 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
typ.  
max.  
IC= 1200A, VCC= 600V  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
VGE=±15V, RGon=1,8ꢀꢁ Tvj=25°C  
td,on  
-
-
0,54  
0,64  
-
-
µs  
µs  
VGE=±15V, RGon=1,8ꢀ, Tvj= 125°C  
IC= 1200A, VCC= 600V  
Anstiegszeit (induktive Last)  
VGE=±15V, RGon=1,8ꢀꢁ Tvj=25°C  
rise time (inductive load)  
tr  
-
-
0,22  
0,23  
-
-
µs  
µs  
VGE=±15V, RGon=1,8ꢀ, Tvj= 125°C  
IC= 1200A, VCC= 600V  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
VGE=±15V, RGoff=0,62ꢀ, Tvj=25°C  
VGE=±15V, RGoff=0,62ꢀ,Tvj= 125°C  
IC= 1200A, VCC= 600V  
td,off  
-
-
0,82  
0,96  
-
-
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
VGE=±15V, RGoff=0,62ꢀ, Tvj=25°C  
tf  
-
-
0,15  
0,18  
-
-
µs  
µs  
VGE=±15V, RGoff=0,62ꢀ,Tvj= 125°C  
IC= 1200A, VCC= 600V, L = 60nH  
ꢀ
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn on energy loss per pulse  
Eon  
Eoff  
ISC  
-
-
-
-
-
245  
190  
4800  
12  
-
-
-
-
-
mJ  
mJ  
A
VGE=±15V, RGon=1,8ꢀ, Tvj= 125°C  
IC= 1200A, VCC= 600V, L = 60nH  
ꢀ
Ausschaltverlustenergie pro Puls  
turn off energy loss per pulse  
VGE=±15V, RGoff=0,62ꢀ, Tvj= 125°C  
tP ? 10µs, VGE ? 15V, TVj ? 125°C  
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LꢀCE · ꢀdi/dtꢀꢁ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
Modulindiktivität  
stray inductance module  
L
ꢀCE  
nH  
mꢂ  
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip  
lead resistance, terminal-chip  
Tc= 25°C  
RCC´/EE´  
0,19  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Diode Wechselrichter / diode inverter  
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
-
-
2,0  
1,8  
2,5  
-
V
V
Durchlassspannung  
forward voltage  
VF  
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C  
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs  
Rückstromspitze  
IRM  
390  
620  
A
A
-
-
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, T
vj
= 25°C  
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C  
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs  
peak reverse recovery current  
Sperrverzögerungsladung  
recoverred charge  
Qr  
55  
µC  
µC  
-
-
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C  
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C  
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs  
150  
Ausschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
Erec  
13  
35  
mJ  
mJ  
-
-
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C  
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
2 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Thermische Eigenschaften / thermal properties  
min.  
typ.  
max.  
pro Transistor /per transistor, DC  
Innerer Wärmewiderstand  
RthJC  
RthJC  
-
-
0,022  
K/W  
K/W  
pro Diode/per Diode, DC  
-
-
0,040  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per module  
Paste/ꢃgrease =1W/m*K  
Übergangs Wärmewiderstand  
RthCK  
Tvj max  
Tvj op  
Tstg  
-
0,006  
-
K/W  
°C  
ꢃ
thermal resistance, case to heatsink  
Höchstzulässige Sperrschichttemp.  
maximum junction temperature  
-
-
-
-
150  
125  
125  
Betriebstemperatur  
operation temperature  
-40  
-40  
°C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
°C  
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
internal insulation  
Al2O3  
Kriechstrecke  
32  
mm  
mm  
creepage distance  
Luftstrecke  
clearance  
20  
CTI  
>400  
comperative tracking index  
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung  
Schraube /screw M5  
M
M
M
G
4,25  
1,7  
8
-
5,75  
2,3  
10  
Nm  
Nm  
Nm  
g
mounting torque  
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse  
Anschlüsse / terminal M4  
-
-
terminal connection torque  
Anschlüsse / terminal M8  
Gewicht  
weight  
1500  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid  
with the belonging technical notes.  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
3 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie (typisch)  
output characteristic (typical)  
IC= f(VCE)  
V
GE
= 15V  
2400  
2100  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
VCE [V]  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
output characteristic (typical)  
IC= f(VCE)  
T
vj
= 125°C  
2400  
2100  
Vge=19V  
Vge=17V  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
Vge=15V  
Vge=13V  
Vge=11V  
Vge=9V  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
VCE [V]  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
5,0  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
4 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
IC= f(VGE)  
V
CE
= 20V  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
transfer characteristic (typical)  
2400  
2100  
Tvj=25°C  
Tvj=125°C  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
VGE [V]  
IF= f(VF)  
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)  
forward caracteristic of inverse diode (typical)  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
VF [V]  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
5 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
VGE=±15V, Rgon=1,8ꢀ, Rgoff=0,62ꢀ, VCE=600V, Tvj=125°C  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
800  
700  
Eon  
Eoff  
Erec  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
300  
600  
900  
1200  
1500  
1800  
2100  
2400  
IC [A]  
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125°C  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
800  
700  
600  
500  
400  
Eon  
Eoff  
Erec  
300  
,
200  
100  
0
0
2
4
6
8
10  
RG [ꢀ]  
12  
14  
16  
18  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
6 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
Zth : IGBT  
Zth : Diode  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
i
1
2
3
4
ri [K/kW] : IGBT  
2,63  
8,62  
8,49  
2,26  
ꢁ [s] : IGBT  
6,897E-01  
11,48  
4,452E-01  
5,634E-02  
12,60  
7,451E-02  
2,997E-02  
13,23  
2,647E-02  
3,820E-03  
2,69  
2,850E-03  
i
ri [K/kW] : Diode  
ꢁ [s] : Diode  
i
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA)  
VGE=±15V, Tvj=125°C  
3000  
2700  
IC,Chip  
2400  
2100  
1800  
IC,Chip  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
VCE [V]  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
7 (8)  
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ1200R12KE3  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Gehäusemaße / Schaltbild  
Package outline / Circuit diagram  
61.5  
±0.3  
18 ± 0.2  
C
(K)  
C
(K)  
E
(A)  
E
(A)  
130  
114 ± 0.5  
DD...  
29.5  
± 0.5  
±0.1  
C
C
C
G
M8  
28.25 ±0.5 18.25 ±0.5  
E
E
E
C
C
E
FD...  
14.75 ± 0.5  
C
E
C
14 ± 0.5  
C
M
E
8 ±0.3  
G
E
C
E
G
E
external connection  
(to be done)  
4.0 tief  
2.5 tief  
2+0.2  
28 ± 0.5  
10.65  
10.35  
±0.2  
48.8 ± 0.2  
± 0.2  
+0.1 (f ür M6-Schraube)  
ø7  
FZ...  
IH4  
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls  
2002-07-29  
8 (8)  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen  
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die  
Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for  
any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

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