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FZ1600R12HP4

型号：

FZ1600R12HP4

描述：

IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching trench-IGBT4 ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

1029 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4  
IHM-B module with soft-switching trench-IGBT4  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 1600A  
I†ç¢ = 3200A  
Typical Applications  
Hochleistungsumrichter  
High Power Converters  
Motor Drives  
•
•
•
Motorantriebe  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Electrical Features  
Erweiterte Sperrschichttemperatur Tvj op  
Extended Operation Temperature Tvj  
op  
•
Mechanical Features  
4kV AC 1min Isolationsfestigkeit  
Gehäuse mit CTI > 400  
Hohe Stromdichte  
4kV AC 1min Insulation  
Package with CTI > 400  
High Power Density  
•
•
•
•
Neues IHM B Gehäuse  
New IHM B Housing  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
material no: 30755  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
UL approved (E83336)  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
1600  
2400  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
3200  
9,40  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 1600 A, V•Š = 15 V  
I† = 1600 A, V•Š = 15 V  
I† = 1600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,70 2,05  
2,00  
2,10  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 60,5 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,1  
5,8  
12,5  
1,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
98,5  
5,50  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,53  
0,57  
0,58  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,24  
0,24  
0,24  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,98  
1,10  
1,10  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,17  
0,21  
0,23  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V, L» = 54 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 5900 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
175  
250  
260  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 1600 A, V†Š = 600 V, L» = 54 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
285  
370  
385  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
6400  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
16,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
9,75  
K/kW  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
1600  
3200  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
345  
335  
kA²s  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 1600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1600 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,80 2,35  
1,75  
1,70  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 5900 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
640  
880  
955  
A
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 5900 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
140  
275  
325  
µC  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 1600 A, - diŒ/dt = 5900 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
65,0  
125  
150  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
26,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
11,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
4,0  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,0  
32,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,0  
19,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
LÙ†Š  
> 400  
min. typ. max.  
9,0  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,15  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
175  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
150  
150  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,7  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1300  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 15 V  
3200  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
V•Š =19 V  
V•Š = 17V  
V•Š = 15V  
V•Š = 13V  
V•Š = 11V  
V•Š = 9V  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
400  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.5 Â, R•ÓËË = 0.3 Â, V†Š = 600 V  
3200  
1000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
900  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
400  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
I† [A]  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 1600 A, V†Š = 600 V  
2000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
10  
i:  
1
2
3
4
rÍ[K/kW]: 1,1861 12,4793 1,7301 0,5972  
0,001 0,0362 0,1587 3,3483  
τÍ[s]:  
1
0
2
4
6
8
R• [Â]  
10  
12  
14  
16  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv, (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.3 Â, TÝÎ = 150°C  
3600  
3200  
Ic, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
400  
0
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0  
0,3  
0,6  
0,9  
1,2  
VŒ [V]  
1,5  
1,8  
2,1  
2,4  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1.5 Â, V†Š = 600 V  
IŒ = 1600 A, V†Š = 600 V  
200  
180  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
60  
40  
40  
20  
20  
0
0
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200  
IŒ [A]  
0,0  
2,0  
4,0  
6,0  
8,0 10,0 12,0 14,0 16,0  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 2,1852 3,4602 18,8106 1,2263  
4
τÍ[s]:  
0,0004 0,0079 0,039  
0,8169  
1
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).  
For those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2009-05-18  
revision: 2.2  
approved by: Ivonne Ludwisiak  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3 IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HE3B60BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

INFINEON

 		FZ1000R33HL3BPSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

GOOD-ARK

 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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