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FZ1200R33KL2C

型号：

FZ1200R33KL2C

描述：

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌：

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数：

8 页

PDF大小：

271 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
3300  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
1200  
2300  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
2400  
14,5  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 1200 A, V•Š = 15 V  
I† = 1200 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,65  
3,70 4,45  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 120 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 1800V  
TÝÎ = 25°C  
4,2  
5,1  
6,0  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
22,0  
0,42  
145  
8,00  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 3300 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â, C•Š = 330 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,05  
1,05  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â, C•Š = 330 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,65  
0,65  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â, C•Š = 330 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,70  
3,90  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â, C•Š = 330 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,35  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V, dI/dt = 3900 A/µs TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2200  
3150  
mJ  
mJ  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓÒ = 1,8 Â, C•Š = 330 nF  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 1200 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓËË = 4,7 Â, C•Š = 330 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1400  
1900  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 2500 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
5200  
9,00  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
8,50 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
3300  
Vçç¢  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
1200  
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
2400  
440  
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tŒÓÒ ÑÍÒ  
1800  
10,0  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,60 t.b.d.  
2,55  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 3900 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1250  
1450  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 3900 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
810  
1450  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 3900 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
800  
1650  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
17,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
18,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
6,0  
2,6  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ ù 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Vš»¥¡  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
V†Š ‡  
2150  
AlSiC  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlN  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,2  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,1  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
6,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
10  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,12  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
M
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4  
terminal connection torque  
1,8  
8,0  
-
-
Schraube / screw M8  
10  
Nm  
Gewicht  
weight  
G
1500  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
2400  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, R•ÓËË = 4,7 Â, V†Š = 1800 V,  
C•Š = 330 nF  
2400  
8000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
7000  
2000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
1600  
1200  
800  
400  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400  
I† [A]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 1200 A, V†Š = 1800 V, C•Š = 330 nF  
12000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 3,825 2,125 0,51 2,04  
4
τÍ[s]:  
0,03 0,1  
0,3  
1
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]  
7
8
9
10 11 12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 4,7 Â, TÝÎ = 125°C, C•Š = 330 nF  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
2400  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
I†, Modul  
I†, Chip  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VŒ [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1,8 Â, V†Š = 1800 V  
IŒ = 1200 A, V†Š = 1800 V  
2500  
2500  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
2000  
2000  
1500  
1000  
500  
0
1500  
1000  
500  
0
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400  
IŒ [A]  
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]  
7
8
9
10 11 12  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
save operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
3000  
2400  
1800  
1200  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
600  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08  
4
Iç, Modul  
τÍ[s]:  
0,03 0,1 0,3  
1
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
Vç [V]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R33KL2C  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2004-7-27  
revision: 2.2  
7
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
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Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
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Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
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Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ1000R25KF1 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 9 页

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 		FZ1000R33HL3 IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管[ IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode ] 9 页

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 		FZ1000R33HL3B60BOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, ] 9 页

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ETC

 		FZ100A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 100A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

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 		FZ100A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 100A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ1050R12K4 IGBT模块\n[ IGBT Module ] 3 页

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 		FZ1110 [ Surface Mount Zener Diodes ] 5 页

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