请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

CZDM1003N

型号：

CZDM1003N

描述：

表面贴装硅N沟道增强型MOSFET[ SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET ]

品牌：

CENTRAL[ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]

页数：

3 页

PDF大小：

940 K

下载PDF手册
CZDM1003N  
SURFACE MOUNT SILICON  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is a  
3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement-  
mode MOSFET, designed for motor control and relay  
driver applications. This MOSFET offers high current,  
low r  
, and low gate charge.  
DS(ON)  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
FEATURES:  
APPLICATIONS:  
Motor control  
Low r  
•
•
•
•
•
•
DS(ON)  
Relay driver  
DC-DC converters  
High current  
Low gate charge  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
100  
20  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Power Dissipation  
I
3.0  
D
I
12  
A
DM  
P
2.0  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-55 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=20V, V =0  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
UNITS  
nA  
I
, I  
V
GSSF GSSR GS  
DS  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=100V, V =0  
1.0  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
=0, I =250μA  
BV  
100  
2.0  
DSS  
GS(th)  
SD  
GS  
D
V
V
=V , I =250μA  
4.0  
1.3  
150  
70  
V
GS DS  
D
=0, I =3.0A  
V
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
S
r
=10V, I =2.0A  
70  
55  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
DS(ON)  
D
C
C
C
=25V, V =0, f=1.0MHz  
rss  
iss  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
705  
55  
975  
80  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
Q
Q
Q
=80V, V =10V, I =9.2A  
GS  
15  
g(tot)  
gs  
D
=80V, V =10V, I =9.2A  
3.0  
5.5  
40  
GS  
D
=80V, V =10V, I =9.2A  
gd  
GS  
D
t
t
=50V, V =10V, I =9.2A  
80  
on  
off  
GS  
D
R =18Ω  
60  
155  
G
R1 (21-January 2013)  
CZDM1003N  
SURFACE MOUNT SILICON  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
MOSFET  
SOT-223 CASE - MECHANICAL OUTLINE  
4
1
2
3
PIN CONFIGURATION  
LEAD CODE:  
1) Gate  
2) Drain  
3) Source  
4) Drain  
MARKING: FULL PART NUMBER  
R1 (21-January 2013)  
www.centralsemi.com  
CZDM1003N  
SURFACE MOUNT SILICON  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
MOSFET  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
R1 (21-January 2013)  
www.centralsemi.com  
厂商 型号 描述 页数 下载

SECOS

 		CZD1182 通用晶体管[ General Purpose Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD1225 PNP外延平面硅晶体管[ PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD1386 PNP外延硅晶体管[ PNP Epitaxial Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD1952 开关晶体管[ Switching Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD2983 NPN外延平面硅晶体管[ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 3 页

SECOS

 		CZD2983J [ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD2983J-O [ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD2983J-Y [ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD3303 [ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

SECOS

 		CZD3303-O [ NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ] 2 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于达普

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：smail@ic72.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

达普官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.265372s