找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ600R17KE3

型号:

FZ600R17KE3

描述:

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌:

INFINEON[ Infineon ]

页数:

8 页

PDF大小:

272 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und EmCon3 Diode  
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
600  
840  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1200  
3150  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 600 A, V•Š = 15 V  
I† = 600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 24,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,2  
5,8  
7,00  
1,3  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
54,0  
1,70  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
3,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,28  
0,30  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,08  
0,10  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,80  
1,00  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,12  
0,20  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 600 A, V†Š = 900 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
140  
200  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 600 A, V†Š = 900 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
130  
190  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
2400  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,04 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,016  
K/W  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1700  
600  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
1200  
56500  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 600 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,80 2,20  
1,90  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 4600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
640  
700  
A
A
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 4600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
150  
250  
µC  
µC  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 4600 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
81,0  
145  
mJ  
mJ  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,065 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,026  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
V𻥡  
3,4  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
19,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
10,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
0,01  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/W  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
16  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,50  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
M
3,00  
-
6,00 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
1,8  
2,5  
-
-
2,1 Nm  
5,0 Nm  
M
G
Gewicht  
weight  
340  
g
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1200  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2.4 Â, R•ÓËË = 2.4 Â, V†Š = 900 V  
1200  
600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
500  
400  
300  
200  
100  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
200  
400  
600  
I† [A]  
800  
1000  
1200  
prepared by: HS  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
approved by: WR  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 600 A, V†Š = 900 V  
1100  
0,1  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,01  
i:  
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,004 0,012 0,016 0,008  
4
τÍ[s]:  
0,01 0,04 0,06 0,3  
0,001  
0,001  
0
5
10  
15  
20  
25  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
R• [Â]  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2.4 Â, TÝÎ = 125°C  
1300  
1200  
I†, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1200  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VŒ [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 2.4 Â, V†Š = 900 V  
IŒ = 600 A, V†Š = 900 V  
200  
180  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
60  
40  
40  
20  
20  
0
0
0
200  
400  
600  
IŒ [A]  
800  
1000  
1200  
0
5
10  
15  
20  
25  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
0,1  
ZÚÌœ† : Diode  
0,01  
i:  
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0065 0,0195 0,026 0,013  
4
τÍ[s]:  
0,01  
0,04  
0,06 0,3  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
Infineon  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: HS  
approved by: WR  
date of publication: 2010-02-10  
revision: 2.2  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

FZ600R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V( BR ) CES | 600A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

FZ600R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE3_B1 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

ETC

FZ600R12KF2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V( BR ) CES | 600A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

FZ600R12KP4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KP4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

EUPEC

FZ600R12KS4 62毫米C系列模块,具有快速IGBT2高频开关[ 62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching ] 8 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

0.208354s