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FZ600R12KS4

型号:

FZ600R12KS4

描述:

62毫米C系列模块,具有快速IGBT2高频开关[ 62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching ]

品牌:

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数:

8 页

PDF大小:

268 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten  
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 60°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
600  
700  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1200  
3900  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 600 A, V•Š = 15 V  
I† = 600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,20 3,75  
3,85  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 24,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
6,30  
0,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
39,0  
2,60  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,11  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,06  
0,07  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,53  
0,55  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,03  
0,04  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
22,0  
46,0  
3900  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,032 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,016  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
600  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
1200  
75000  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 600 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,55  
1,70  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 8000 A/µs  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
420  
620  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 8000 A/µs  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
40,0  
90,0  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 600 A, - diŒ/dt = 8000 A/µs  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
25,0  
48,0  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,05 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
0,028  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
V𻥡  
2,5  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
20,0  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
11,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 425  
min. typ. max.  
0,01  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/W  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
16  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,50  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
3,00  
-
6,00 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,1  
2,5  
-
-
2,0 Nm  
5,0 Nm  
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
Gewicht  
weight  
340  
g
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1200  
1200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 8V  
V•Š = 9V  
V•Š = 10V  
V•Š = 12V  
V•Š = 15V  
1000  
1000  
V•Š = 20V  
800  
600  
400  
200  
800  
600  
400  
200  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,5 Â, R•ÓËË = 1,5 Â, V†Š = 600 V  
1200  
160  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
140  
1000  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
800  
600  
400  
200  
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
200  
400  
600  
I† [A]  
800  
1000  
1200  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 600 A, V†Š = 600 V  
225  
0,1  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
0,01  
50  
i:  
rÍ[K/W]: 0,00192 0,01056 0,01024 0,00928  
0,01 0,02 0,05 0,1  
1
2
3
4
25  
τÍ[s]:  
0
0,001  
0,001  
0
2
4
6
R• [Â]  
8
10  
12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,5 Â, TÝÎ = 125°C  
1400  
1300  
1200  
1100  
1000  
900  
1200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
800  
700  
600  
500  
400  
300  
I†, Modul  
I†, Chip  
200  
100  
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
VŒ [V]  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (I†)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
IŒ = 600 A, V†Š = 600 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â, V†Š = 600 V  
60  
60  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
50  
50  
40  
30  
20  
10  
0
40  
30  
20  
10  
0
0
200  
400  
600  
IŒ [A]  
800  
1000  
1200  
0
3
6
9
12  
15  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
0,1  
ZÚÌœ† : Diode  
0,01  
i:  
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,003 0,0165 0,016 0,0145  
4
τÍ[s]:  
0,01 0,02  
0,05 0,1  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KS4  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
j
j
i
i
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2005-4-27  
revision: 3.1  
approved by: Wilhelm Rusche  
7
Nutzungsbedingungen  
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.  
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- the conclusion of Quality Agreements;  
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厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

FZ600R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V( BR ) CES | 600A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

FZ600R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE3_B1 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KE4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

ETC

FZ600R12KF2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V( BR ) CES | 600A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

FZ600R12KP4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

INFINEON

FZ600R12KP4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

INFINEON

FZ600R12KS4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

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