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FZ600R12KP4HOSA1

型号：

FZ600R12KP4HOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

594 K

下载PDF手册
FZ600R12KP4  
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode  
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode  
VCES = 1200V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀsystems  
• Windgeneratoren  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀVCEsat  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• Unbeatableꢀrobustness  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• IsolierteꢀBodenplatte  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
• Standardgehäuse  
• Standardꢀhousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200  
600  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 100°C, Tvj max = 175°C  
tP = 1 ms  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
1200  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
IC = 600 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,70 2,05  
2,00  
2,10  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,20 5,80 6,40  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
5,60  
1,3  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
42,0  
1,70  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,24  
0,25  
0,26  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,09  
0,10  
0,11  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,61  
0,64  
0,66  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,14  
0,17  
0,18  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
35,0  
50,0  
55,0  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
75,0  
100  
105  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
2400  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,0480 K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0250  
K/W  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.0  
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200  
600  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
1200  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
51000  
49000  
A²s  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,80 2,35  
1,75  
1,70  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
440  
560  
590  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
55,0  
100  
115  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
27,0  
52,0  
60,0  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,0700 K/W  
K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0220  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0  
Cu  
ꢀ kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
ꢀ
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
25,0  
19,0  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
25,0  
10,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
16  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
0,50  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
125  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
3,00  
6,00 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,1  
2,5  
-
-
2,0 Nm  
5,0 Nm  
M
G
Gewicht  
Weight  
340  
g
Datasheet  
3
Vꢀ3.0  
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
1200  
1200  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
1000  
800  
600  
400  
200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
1200  
240  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1000  
800  
600  
400  
200  
200  
160  
120  
80  
40  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
200  
400  
600  
IC [A]  
800  
1000  
1200  
Vꢀ3.0  
VGE [V]  
Datasheet  
4
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
350  
0,1  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
ZthJC : IGBT  
Eoff, Tvj = 150°C  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,00357 0,00105 0,03836 0,00462  
τi[s]: 0,00058 0,00283 0,03168 0,56691  
1
2
3
4
0
0,001  
0,001  
0
2
4
6
8
10  
12  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.2ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
1400  
1200  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1300  
1200  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4  
VCE [V]  
VF [V]  
Datasheet  
5
Vꢀ3.0  
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
80  
80  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
70  
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40  
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20  
10  
0
0
200  
400  
600  
IF [A]  
800  
1000  
1200  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
0,1  
ZthJC : Diode  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,00772 0,04001 0,01975 0,00259  
τi[s]: 0,00057 0,01999 0,06684 4,28823  
1
2
3
4
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Datasheet  
6
Vꢀ3.0  
2017-03-22  
FZ600R12KP4  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Infineon  
Datasheet  
7
Vꢀ3.0  
2017-03-22  
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG  
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,  
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,  
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,  
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,  
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,  
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™  
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015  
ꢀ
OtherꢀTrademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2017-03-22  
©ꢀ2017ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  
AllꢀRightsꢀReserved.  
Publishedꢀby  
InfineonꢀTechnologiesꢀAG  
81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem  
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
ꢀ
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IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon  
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour  
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
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ETC

 		FZ600R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 600A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

 		FZ600R12KE3 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ600R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

INFINEON

 		FZ600R12KE3_B1 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ600R12KE4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

INFINEON

 		FZ600R12KE4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 9 页

ETC

 		FZ600R12KF2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 600A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) ] 2 页

INFINEON

 		FZ600R12KP4 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4[ 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode ] 9 页

EUPEC

 		FZ600R12KS4 62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关[ 62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching ] 8 页

INFINEON

 		FZ600R12KS4HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

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