FZ 2400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
tvj = 25°C
VCES
IC
1200 V
2400 A
4800 A
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
IF
tC=25°C, Transistor / Transistor
15 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
± 20 V
2400 A
4800 A
2,5 kV
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
2,7
3,4
max.
3,2 V
4 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=25°C
vCE sat
-
-
iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=125°C
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
iC=96mA, vCE=vGE, Tvj=25°C
vGE(th)
Cies
4,5
-
5,5
6,5 V
- nF
fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
170
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C
iCES
-
-
48
- mA
- mA
240
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=125°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=125°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47W, Tvj=125°C
iGES
iEGS
ton
-
-
-
-
600 nA
600 nA
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
-
-
0,7
0,8
- µs
- µs
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
ts
-
-
0,9
1,0
- µs
- µs
tf
-
-
0,1
- µs
- µs
0,15
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
forward voltage
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
Eon
Eoff
vF
Einschaltverlustenergie pro Puls
LS=40nH,RG=0,47W, Tvj=125°C
-
310
- mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
LS=40nH,RG=0,47W, Tvj=125°C
iF=2400A, vGE=0V, Tvj=25°C
iF=2400A, vGE=0V, Tvj=125°C
iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs
-
-
-
410
2,2
2
- mWs
2,7 V
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
2,5 V
peak reverse recovery current
IRM
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs
-
-
750
- A
- A
1200
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
-
-
80
- µAs
270
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
0,0084 °C/W
0,014 °C/W
pro Module / per Module
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
typ. 0,006 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
5 Nm
terminals M6 / tolerance ±15%
terminals M4 / tolerance +5 / -10%
terminals M8
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigunmounting torque
M1
M2
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca. 2300 g
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15V
vCEM = 850 V
RGF = RGR = 0,47 W
tvj = 125°C
i
CMK1 » 15000 A
CMK2 » 13000 A
i
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 12nH x |dic/dt|
