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FZ2400R12HP4

型号：

FZ2400R12HP4

描述：

IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

1025 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4  
IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 2400A / I†ç¢ = 4800A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
High Power Converters  
Motor Drives  
Hochleistungsumrichter  
••  
Motorantriebe  
••  
••  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Erweiterte Sperrschichttemperatur Tvj op  
Electrical Features  
Extended Operation Temperature Tvj op  
••  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
4kV AC 1min Insulation  
Package with CTI > 400  
High Power Density  
4kV AC 1min Isolationsfestigkeit  
••  
Gehäuse mit CTI > 400  
••  
Hohe Stromdichte  
••  
••  
Neues IHM B Gehäuse  
New IHM B Housing  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
material no: 29634  
UL approved (E83335)  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
2400  
3460  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
4800  
12,5  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,70 2,05  
2,00  
2,10  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 91,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,1  
5,8  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
18,5  
0,81  
150  
8,30  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,50  
0,54  
0,55  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,33  
0,33  
0,33  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
1,05  
1,15  
1,20  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,20  
0,23  
0,24  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V, L» = 54 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 6250 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
365  
460  
505  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 600 V, L» = 54 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
450  
560  
595  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 0,3 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
9600  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
12,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
9,75  
K/kW  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
2400  
4800  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
615  
595  
kA²s  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 2400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 2400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 2400 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,80 2,35  
1,75  
1,70  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 6250 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
805  
1150  
1200  
A
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 6250 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
245  
430  
490  
µC  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 6250 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
105  
185  
210  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
20,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
11,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
4,0  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,0  
32,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,0  
19,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
LÙ†Š  
> 400  
min. typ. max.  
9,0  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,13  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
175  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
150  
150  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,7  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1300  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 15 V  
4800  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
V•Š =19 V  
V•Š = 17V  
V•Š = 15V  
V•Š = 13V  
V•Š = 11V  
V•Š = 9V  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.6 Â, R•ÓËË = 0.3 Â, V†Š = 600 V  
4800  
2000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
1800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
800  
1600  
2400  
I† [A]  
3200  
4000  
4800  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 2400 A, V†Š = 600 V  
2500  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
2000  
10  
1500  
1000  
500  
0
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 0,5553 1,0596 9,5528 0,7923  
4
τÍ[s]:  
0,0006 0,0096 0,0489 1,9537  
0,1  
0,001  
0,0  
1,5  
3,0  
4,5  
R• [Â]  
6,0  
7,5  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv, (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.3 Â, TÝÎ = 150°C  
5600  
4800  
Ic, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
4800  
4000  
3200  
2400  
1600  
800  
0
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0  
0,3  
0,6  
0,9  
1,2  
VŒ [V]  
1,5  
1,8  
2,1  
2,4  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1.6 Â, V†Š = 600 V  
IŒ = 2400 A, V†Š = 600 V  
300  
240  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
250  
200  
150  
100  
50  
60  
40  
20  
0
0
0
800  
1600  
2400  
IŒ [A]  
3200  
4000  
4800  
0,0  
1,5  
3,0  
4,5  
R• [Â]  
6,0  
7,5  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 1,5153 2,0285 15,0456 1,2539  
4
τÍ[s]:  
0,0004 0,0077 0,0418 0,7107  
1
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).  
For those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.1  
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厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

 		FZ20-300 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

 		FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

 		FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

 		FZ200R65KF1NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 10 页

INFINEON

 		FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

 		FZ24-2000 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4B9HOSA2 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 ] 9 页

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