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FZ200R65KF1NOSA1

型号：

FZ200R65KF1NOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

10 页

PDF大小：

158 K

下载PDF手册
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Tvj=125°C  
6500  
6300  
5800  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Tvj=25°C  
VCES  
V
collector-emitter voltage  
Tvj=-40°C  
T
T
C = 80 °C  
C = 25 °C  
IC,nom.  
IC  
200  
400  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t
P = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
400  
3,8  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
200  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
400  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
k A2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
26  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
10,2  
5,1  
Teilentladungs Aussetzspannung  
partial discharge extinction voltage  
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)  
VISOL  
kV  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
I
C = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
C = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
VCE sat  
-
4,3  
4,9  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
-
5,3  
5,9  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I
C = 35mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE(th)  
6,4  
7,0  
2,8  
28  
8,1  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE = -15V ... +15V  
QG  
-
-
-
µC  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
VCE = 6300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Cies  
-
-
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
0,2  
20  
mA  
mA  
ICES  
-
V
CE = 6500V, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
-
-
400  
nA  
prepared by: Dr. Oliver Schilling  
date of publication: 2002-07-05  
revision/Status: Series 1  
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05  
1
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
IC = 200A, VCE = 3600V  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
td,on  
VGE = ±15V, RGon = 13Ω, CGE=22nF, Tvj = 25°C,  
VGE = ±15V, RGon = 13Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C,  
IC = 200A, VCE = 3600V  
-
-
0,75  
0,72  
-
-
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
tr  
VGE = ±15V, RGon = 13Ω, CGE=22nF, Tvj = 25°C,  
VGE = ±15V, RGon = 13Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C,  
IC = 200A, VCE = 3600V  
-
-
0,37  
0,40  
-
-
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
td,off  
VGE = ±15V, RGoff = 75Ω, CGE=22nF, Tvj = 25°C,  
-
-
5,50  
6,00  
-
-
µs  
µs  
VGE = ±15V, RGoff = 75Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C,  
IC = 200A, VCE = 3600V  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
tf  
VGE = ±15V, RGoff = 75Ω, CGE=22nF, Tvj = 25°C,  
-
-
0,40  
0,50  
-
-
µs  
µs  
VGE = ±15V, RGoff = 75Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C,  
IC = 200A, VCE = 3600V, VGE = ±15V  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
Eon  
Eoff  
RGon = 13Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C , Lσ = 280nH  
IC = 200A, VCE = 3600V, VGE = ±15V  
-
-
1900  
1200  
-
-
mJ  
mJ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
RGoff = 75Ω, CGE=22nF, Tvj = 125°C , Lσ = 280nH  
t
P ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, acc to appl.note 2002/05  
Vj≤125°C, VCC=4400V, VCEmax=VCES -LσCE ·di/dt  
Kurzschlußverhalten  
SC Data  
ISC  
T
-
-
1000  
25  
-
-
A
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LsCE  
nH  
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip  
module lead resistance, terminals - chip  
RCC´+EE´  
-
0,37  
-
mΩ  
min. typ. max.  
Diode / Diode  
Durchlaßspannung  
forward voltage  
I
I
F = 200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
F = 200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
VF  
IRM  
Qr  
3,0  
3,8  
4,6  
V
V
3,9  
4,7  
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs  
-
-
270  
330  
-
-
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs  
-
-
180  
350  
-
-
µC  
µC  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
Erec  
-
-
220  
550  
-
-
mJ  
mJ  
2
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
min. typ. max.  
RthJC  
Transistor / transistor, DC  
Diode/Diode, DC  
-
-
0,033  
K/W  
K/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
-
-
0,063  
pro Modul / per Module  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCK  
Tvj, max  
Tvj,op  
Tstg  
-
0,016  
-
K/W  
°C  
thermal resistance, case to heatsink  
λPaste ≤ 1 W/m*K / λgrease ≤ 1 W/m*K  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
-
-
-
-
150  
125  
125  
Betriebstemperatur Sperrschicht  
junction operation temperature  
Schaltvorgänge IGBT(RBSOA);Diode(SOA)  
switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA)  
-40  
-40  
°C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
°C  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
AlN  
56  
internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance  
26  
CTI  
>600  
comperative tracking index  
Schraube /screw M6  
M
5
Nm  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Anschlüsse / terminals M8  
M
G
8 - 10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
500  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.  
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
valid in combination with the belonging technical notes.  
3
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Ausgangskennlinie (typisch)  
Output characteristic (typical)  
I = f (VCE)  
C
VGE = 15V  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
25°C  
125°C  
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
6,0  
7,0  
8,0  
9,0  
10,0  
VCE [V]  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
Output characteristic (typical)  
IC = f (VCE), VGE= < see inset >  
Tvj = 125°C  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
20V  
15V  
12V  
10V  
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
6,0  
7,0  
8,0  
9,0  
10,0  
VCE [V]  
4
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
Transfer characteristic (typical)  
IC = f (VGE)  
VCE = 10V  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
25°C  
125°C  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
VGE [V]  
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)  
Forward characteristic of inverse diode (typical)  
I = f (VF)  
F
450  
400  
25°C  
125°C  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
6,0  
7,0  
VF [V]  
5
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
RGon=13Ω, RGoff=75Ω, CGE = 22nF, VGE=±15V, VCE = 3600V, Tvj = 125°C,  
5500  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Eon  
Eoff  
Erec  
0
0
50  
100  
150  
200  
IC [A]  
250  
300  
350  
400  
450  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
IC = 200A , VCE = 3600V , VGE=±15V, CGE=22nF , Tvj = 125°C  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Eon  
Eoff  
Erec  
400  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90 100 110 120 130 140 150  
RG [Ω]  
6
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA) RG,off = 75Ω, CGE=22nF, VGE=±15V, Tvj= <see inset>, VCC <=4400V  
450  
400  
350  
300  
Tvj=125°C  
250  
200  
150  
100  
50  
Tvj=25°C  
0
2000  
2500  
3000  
3500  
4000  
4500  
5000  
5500  
6000  
6500  
VCE [V] (at auxiliary terminals)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)  
safe operation area Diode (SOA)  
Pmax = 600kW ; Tvj= 125°C  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0
0
1000  
2000  
3000  
4000  
5000  
6000  
VR [V] (at auxiliary terminals)  
7
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
Zth:Diode  
Zth:IGBT  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
1
2
3
4
i
ri [K/kW]  
: IGBT  
: IGBT  
: Diode  
: Diode  
14,85  
0,030  
28,35  
0,030  
8,25  
1,98  
7,92  
1,0  
τi [s]  
ri [K/kW]  
τi [s]  
0,10  
15,75  
0,10  
0,30  
3,78  
0,30  
15,12  
1,0  
8
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 200 R 65 KF1  
Äußere Abmessungen /  
extenal dimensions  
Anschlüsse / Terminals  
1
2
3
4
5
Hilfsemitter / auxiliary emitter  
Gate / gate  
Hilfskollektor / auxiliary collector  
Emitter / emitter  
Kollektor / collector  
9
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments  
will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect  
to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted  
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its  
characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.  
Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

 		FZ20-300 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

 		FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

 		FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

 		FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

 		FZ24-2000 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4 IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ] 9 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4B9HOSA2 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 ] 9 页

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B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

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