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FZ2400R17KF6CB2

型号：

FZ2400R17KF6CB2

描述：

IGBT模块\n[ IGBT Module ]

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

8 页

PDF大小：

123 K

下载PDF手册
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1700  
V
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
2400  
3800  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
VGES  
IF  
4800  
19,2  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
+/- 20V  
2400  
4800  
1500  
4
Dauergleichstrom  
DC forward current  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
tp = 1 ms  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
kA2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min.  
typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
C = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
VCE sat  
2,6  
3,1  
3,1  
3,6  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
IC = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC = 190mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15V ... +15V  
VGE(th)  
4,5  
5,5  
29  
160  
8
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
QG  
µC  
nF  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
ICES  
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
0,06  
30  
4,5  
mA  
mA  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
240  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
400  
nA  
prepared by: Alfons Wiesenthal  
date of publication: 10.11.2000  
approved by: Christoph Lübke; 10.11.2000  
revision: serie  
1(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min.  
typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
C = 2400, VCE = 900V  
GE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C  
C = 2400, VCE = 900V  
GE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 25°C  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
V
td,on  
0,3  
0,3  
µs  
µs  
I
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
V
tr  
0,23  
0,23  
µs  
µs  
VGE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C  
IC = 2400, VCE = 900V  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
V
GE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C  
C = 2400, VCE = 900V  
td,off  
1,5  
1,5  
µs  
µs  
I
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
VGE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C  
IC = 2400A, VCE = 900V, VGE = 15V  
RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C, LS = 50nH  
tf  
0,18  
0,19  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
Eon  
Eoff  
750  
mWs  
mWs  
I
C = 2400A, VCE = 900V, VGE = 15V  
RG = 0,6Ω , Tvj = 125°C, LS = 50nH  
P ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
1060  
t
Kurzschlußverhalten  
SC Data  
TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt  
ISC  
9600  
10  
A
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LsCE  
nH  
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip  
module lead resistance, terminals - chip  
RCC´+EE´  
pro Zweig / per arm  
0,06  
mΩ  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min.  
typ. max.  
Diode / Diode  
IF = 2400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Durchlaßspannung  
VF  
IRM  
Qr  
2,1  
2,1  
2,5  
2,5  
V
V
forward voltage  
IF = 2400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
IF = 2400A, - diF/dt = 11000A/µsec  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
IF = 2400A, - diF/dt = 11000A/µsec  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
IF = 2400A, - diF/dt =11000A/µsec  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
1750  
2200  
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
530  
960  
µAs  
µAs  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
Erec  
320  
600  
mWs  
mWs  
2(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
min.  
typ. max.  
0,007  
RthJC  
Transistor / transistor, DC  
Diode/Diode, DC  
K/W  
K/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
0,012  
pro Modul / per module  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCK  
0,006  
K/W  
°C  
λPaste = 1 W/m*K  
/
λgrease = 1 W/m*K  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj  
150  
Betriebstemperatur  
operation temperature  
Top  
-40  
-40  
125  
°C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Tstg  
125  
°C  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
internal insulation  
AlN  
32  
Kriechstrecke  
creepage distance  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance  
20  
CTI  
min.  
M1  
>400  
comperative tracking index  
5
Nm  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
terminals M4  
terminals M8  
M2  
G
2
Nm  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
8 - 10  
Gewicht  
weight  
1500  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.  
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
valid in combination with the belonging technical notes.  
3(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Ausgangskennlinie (typisch)  
Output characteristic (typical)  
IC = f (VCE)  
VGE = 15V  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
5,0  
VCE [V]  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
Output characteristic (typical)  
IC = f (VCE)  
Tvj = 125°C  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
5,0  
VCE [V]  
4(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
Transfer characteristic (typical)  
IC = f (VGE)  
VCE = 20V  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
VGE [V]  
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)  
IF = f (vF)  
Forward characteristic of inverse diode (typical)  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
VF [V]  
5(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
Rgon= Rgoff =0,6 Ω , VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Eoff  
Eon  
Erec  
0
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
3500  
4000  
4500  
5000  
IC [A]  
Schaltverluste (typisch)  
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
Switching losses (typical)  
IC = 2400A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Eoff  
Eon  
Erec  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
RG [Ω ]  
6(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
0,001  
Zth:Diode  
Zth:IGBT  
0,0001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [sec]  
1
2
3
4
i
ri [K/kW]  
: IGBT  
0,658  
0,027  
5,54  
3,3  
0,052  
2,48  
0,997  
0,09  
2,04  
0,838  
3,19  
0,988  
τi [sec]  
ri [K/kW]  
τi [sec]  
: IGBT  
: Diode  
: Diode  
0,79  
0,0287  
0,0705  
0,153  
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA)  
Rg = 0,6 Ohm, Tvj= 125°C  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
IC,Modul  
IC,Chip  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
VCE [V]  
7 (8)  
FZ2400R17KF6C B2  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ2400R17KF6C B2  
Äußere Abmessungen / external dimensions  
8(8)  
FZ2400R17KF6C B2  
厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

 		FZ20-300 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

 		FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

 		FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

 		FZ200R65KF1NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 10 页

INFINEON

 		FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

 		FZ24-2000 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4 IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ] 9 页

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