找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ2400R17KE3_B9

型号:

FZ2400R17KE3_B9

描述:

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌:

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数:

8 页

PDF大小:

267 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
2400  
3450  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
4800  
14,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 96,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,2  
5,8  
28,0  
0,6  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
215  
7,00  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,65  
0,70  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,16  
0,20  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,30  
1,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,30  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
420  
610  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
630  
920  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
9600  
6,00  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
9,00 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1700  
2400  
4800  
780  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 2400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 2400 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,80 2,20  
1,90  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 12000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2150  
2350  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 12000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
595  
1000  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 2400 A, - diŒ/dt = 12000 A/µs  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
385  
680  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
21,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
13,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
V𻥡  
3,4  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,2  
32,2  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,1  
19,1  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
4,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
10  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,12  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
M
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4  
terminal connection torque  
1,8  
8,0  
-
-
Schraube / screw M8  
10  
Nm  
Gewicht  
weight  
G
2300  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
4800  
4800  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
4400  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
400  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,6 Â, R•ÓËË = 0,8 Â, V†Š = 900 V  
4800  
2000  
4400  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
600  
400  
200  
400  
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800  
I† [A]  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
4000  
100  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 0,9 3,6 3,6 0,9  
4
400  
τÍ[s]:  
0,01 0,03 0,09 0,2  
0
0,1  
0,001  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
R• [Â]  
4,0  
5,0  
6,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,8 Â, TÝÎ = 125°C  
5200  
4800  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
4800  
4400  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
800  
I†, Modul  
I†, Chip  
400  
400  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 0,6 Â, V†Š = 900 V  
IŒ = 2400 A, V†Š = 900 V  
1000  
800  
750  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
700  
650  
600  
550  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
0
600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800  
IŒ [A]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 2,1 8,4 8,4 2,1  
4
τÍ[s]:  
0,01 0,03 0,09 0,2  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
7
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments  
will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect  
to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted  
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its  
characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.  
Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

FZ20-300 电路安装架,小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V( BR ) CES | 200A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V( BR ) CES | 200A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V( BR ) CES | 200A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V( BR ) CES | 200A I(C ) | M : HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

FZ200R65KF1NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 10 页

INFINEON

FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

FZ24-2000 电路安装架,小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

FZ2400R12HP4 IHM -B模块,软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ] 9 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

0.291492s