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FZT1049A

型号：

FZT1049A

描述：

NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ]

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

103 K

下载PDF手册
SOT 223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 1 - APRIL 1997  
FZT1049A  
C
FEATURES  
*
*
*
*
*
*
VCEO = 30V  
5 Amp Continuous Current  
20 Amp Pulse Current  
Low Saturation Voltage  
High Gain  
E
C
B
Extremely Low Equivalent On-resistance; RCE(sat) = 50mΩ at 5A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
30  
V
5
V
Peak Pulse Current  
20  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
5
500  
A
IB  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C †  
Ptot  
2.5  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
†
The power which can be dissipated assuming the device is mounted in typical manner on a PCB  
with copper equal to 2 inches x 2 inches.  
FZT1049A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
V(BR)CBO 80  
130  
130  
40  
V
IC=100µA  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCES  
VCEO  
VCEV  
80  
30  
80  
5
V
V
V
V
I =100µA *  
C
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
I =10mA  
C
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
130  
9
I =100µA, VEB=1V  
C
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
0.3  
0.3  
0.3  
10  
10  
10  
nA  
nA  
nA  
VCB=35V  
VEB=4V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
Collector Emitter Cut-Off ICES  
Current  
V
=35V  
CES  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
35  
60  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=0.5A, IB=10mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
IC=3A, IB=30mA*  
IC=5A, IB=50mA*  
70  
100  
250  
330  
180  
250  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
950  
900  
1050  
1000  
mV  
mV  
IC=5A, IB=50mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
I =5A, VCE=2V*  
C
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
280  
300  
300  
180  
40  
440  
450  
450  
280  
80  
IC=10mA, VCE=2V*  
IC=0.5A, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
IC=5A, VCE=2V*  
IC=20A, VCE=2V*  
1200  
Transition Frequency  
fT  
180  
MHz  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Turn-on Time  
Cobo  
ton  
45  
60  
pF  
ns  
ns  
VCB=10V, f=1MHz  
125  
380  
IC=4A, IB=40mA, VCC=10V  
Turn-off Time  
toff  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
FZT1049A  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.0  
+25°C  
IC/IB=100  
0.8  
IC/IB=50  
IC/IB=100  
IC/IB=200  
0.6  
0.4  
0.2  
0
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+150°C  
1m  
10m  
100m  
1
10  
100  
1m  
10m  
100m  
1
10  
100  
100  
100  
IC - Collector Current (A)  
IC - Collector Current (A)  
VCE(sat) v IC  
VCE(sat) v IC  
700  
350  
0
1.5  
1.0  
0.5  
0
VCE=2V  
IC/IB=100  
+100°C  
+25°C  
-55°C  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+150°C  
1m  
10m  
100m  
1
10  
100  
1m  
10m  
100m  
1
10  
IC - Collector Current (A)  
IC - Collector Current (A)  
hFE v IC  
VBE(sat) v IC  
1.8  
1.2  
0.6  
0
100  
10  
VCE=2V  
DC  
1s  
100ms  
10ms  
1ms  
1
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+150°C  
100us  
100m  
100m  
1
10  
1m  
10m  
100m  
1
10  
100  
IC - Collector Current (A)  
VCE - Collector Emitter Voltage (V)  
VBE(on) v IC  
Safe Operating Area  
厂商 型号 描述 页数 下载

ZETEX

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