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UZTX658

型号：

UZTX658

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

114 K

下载PDF手册
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ZTX658  
ISSUE 2 – APRIL 2002  
FEATURES  
*
*
*
400 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
P
tot=1 Watt  
APPLICATIONS  
Telephone dialler circuits  
C
B
E
*
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
400  
5
V
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
IC  
500  
mA  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO 400  
V
IC=100µA  
Collector-Emitter  
V(BR)CEO) 400  
V
V
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=320V  
VCE=320V  
VEB=4V  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
Collector Cut-Off  
Current  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
Collector Cut-Off  
Current  
ICBO  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.3  
0.25  
0.5  
V
V
V
IC=20mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA*  
IC=100mA, IB=10mA*  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.9  
V
IC=100mA, IB=10mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
0.9  
V
IC=100mA, VCE=5V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
50  
40  
IC=1mA, VCE=5V*  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=200mA, VCE=10V*  
3-229  
ZTX658  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Transition Frequency fT  
50  
MHz  
IC=20mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Output capcitance  
Switching times  
Cobo  
10  
pF  
VCB=20V, f=1MHz  
ton  
toff  
130  
3300  
ns  
ns  
IC=100mA, VC=100V  
IB1=10mA, IB2=-20mA  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Thermal Resistance:Junction to Ambient1  
Junction to Ambient2  
Rth(j-amb)1  
Rth(j-amb)2  
Rth(j-case)  
175  
116  
70  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
†
Junction to Case  
† Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
2.5  
2.0  
200  
D=1 (D.C.)  
t
1
D=t1/tP  
Case temperature  
t
P
1.5  
100  
D=0.5  
A
1.0  
0.5  
0
m
bient tem  
D=0.2  
perat  
u
re  
D=0.1  
Single Pulse  
0
0.0001 0.001  
-40 -20  
0
20  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
40 60 80 100 120 140 160 180 200  
T -Temperature (°C)  
Pulse Width (seconds)  
Derating curve  
Maximum transient thermal impedance  
3-230  
ZTX658  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
I
C B  
=10  
/I  
IC/IB=20  
C B  
/I =50  
Tamb=25°C  
C B  
I /I =10  
1.6  
1.4  
1.2  
1.6  
1.4  
1.2  
I
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
IC  
- Collector Current (Amps)  
IC  
- Collector Current (Amps)  
CE(sat)  
V
C
CE(sat)  
V
C
v I  
v I  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
+100°C  
+25°C  
-55°C  
VCE=10V  
C B  
I /I =10  
1.6  
1.4  
1.6  
1.4  
1.2  
300  
200  
100  
1.2  
1.0  
0.8  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.001  
0.2  
0
0.01  
0.1  
10 20  
1
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
IC  
- Collector Current (Amps)  
IC  
- Collector Current (Amps)  
BE(sat)  
FE  
h
C
v I  
C
v I  
V
Single Pulse Test at Tamb=25°C  
1.0  
0.1  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
VCE=10V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
D.C.  
1s  
100ms  
10ms  
0.01  
1.0ms  
0.1ms  
0.2  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10 20  
0.001  
1
10  
100  
1000  
I
C
- Collector Current (Amps)  
BE(on) v I  
VCE - Collector Voltage (Volts)  
V
C
Safe Operating Area  
3-231  
厂商 型号 描述 页数 下载

NICHICON

 		UZT1A100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A101MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A220MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A330MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A470MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A470MCR1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 2626, 4.5 MML CHIP ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCL1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1717, 4.5MML CHIP, ROHS COMPLIANT ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCR1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1717, 4.5 MML CHIP ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C101MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

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