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UZTX717

型号：

UZTX717

品牌：

DIODES[ DIODES INCORPORATED ]

页数：

3 页

PDF大小：

89 K

下载PDF手册
E-LINE PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ZTX717  
ISSUE 1 – NOVEMBER 1999  
FEATURES  
*
*
*
12 Volt VCEO  
Gain of 180 at IC=2.5 Amps  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Flash gun convertors  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-12  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-12  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-10  
-2.5  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb =25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptot  
1
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ZTX717  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
-35  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
-12  
-12  
-5  
V
IC=-100 A  
IC=-10mA*  
IE=-100 A  
VCB=-10V  
VEB=-4V  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-25  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
-8.5  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
-100  
nA  
nA  
nA  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
Collector Emitter  
Cut-Off Current  
ICES  
VCES=-10V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-10  
-100  
-110  
-180  
-17  
-140  
-170  
-220  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=-0.1A, IB=-10mA*  
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-1.5A, IB=-50mA*  
IC=-2.5A, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.9  
-1.0  
V
IC=-2.5A, IB=-50mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
-0.8  
-1.0  
V
IC=-2.5A, VCE=-2V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
300  
300  
180  
60  
475  
450  
275  
100  
70  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-100mA, VCE=-2V*  
IC=-2.5A, VCE=-2V*  
IC=-8A, VCE=-2V*  
45  
IC=-10A, VCE=-2V*  
Transition  
Frequency  
fT  
80  
110  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
Cobo  
t(on)  
t(off)  
21  
30  
pF  
ns  
ns  
VCB=-10V, f=1MHz  
70  
VCC=-6V, IC=-2A  
IB1=IB2=50mA  
Turn-Off Time  
130  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%  
ZTX717  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1
100m  
10m  
1m  
0.8  
+25°C  
IC/IB=10  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
100°C  
25°C  
0.3  
IC/IB=100  
-55°C  
IC/IB=50  
IC/IB=30  
IC/IB=10  
0.2  
0.1  
0.0  
1m  
10m  
100m  
1
10  
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
10A  
100A  
Collector Current (A)  
Collector Current  
VCE(SAT) vs IC  
VCE(SAT) vs IC  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
1.6  
1.4  
1.2  
VCE=2V  
100°C  
IC/IB=10  
450  
25°C  
1.0  
0.8  
-55°C  
25°C  
100°C  
225  
0
-55°C  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
100mA  
1A  
10A  
100A  
1mA  
10mA  
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
10A  
100A  
Collector Current  
Collector Current  
hFE vs IC  
VBE(SAT) vs IC  
1.2  
1.0  
0.8  
VCE=2V  
-55°C  
25°C  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
100°C  
10mA  
100mA  
1A  
10A  
100A  
1mA  
Collector Current  
VBE(ON) vs IC  
厂商 型号 描述 页数 下载

NICHICON

 		UZT1A100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A101MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A220MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A330MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A470MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1A470MCR1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 2626, 4.5 MML CHIP ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCL1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1717, 4.5MML CHIP, ROHS COMPLIANT ] 1 页

NICHICON

 		UZT1C100MCR1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1717, 4.5 MML CHIP ] 1 页

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