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HZM7.5NB2TL

型号：

HZM7.5NB2TL

品牌：

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数：

10 页

PDF大小：

37 K

下载PDF手册
HZM-N Series  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer  
ADE-208-130C (Z)  
Rev. 3  
Features  
•
•
Wide spectrum from 1.9V through 38V of zener voltage provide flexible application.  
MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Let to Mark Code  
Package Code  
HZM-N Series  
MPAK  
Outline  
3
1
2
(Top View)  
1 NC  
2 Anode  
3 Cathode  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Pd*  
Value  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Note: See Fig. 3.  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
HZM-N Series  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Zener Voltage*  
Test  
Reverse Current  
Dynamic Resistance  
Test  
Test  
VZ (V)  
Condition  
IR (µA) Condition  
rd (Ω)  
Max  
100  
Condition  
Type  
Grade Min  
Max  
2.20  
2.40  
2.60  
2.90  
2.75  
2.90  
3.20  
3.05  
3.20  
3.50  
3.35  
3.50  
3.80  
3.65  
3.80  
4.10  
3.97  
4.10  
4.48  
4.21  
4.34  
4.48  
4.90  
4.61  
4.75  
4.90  
5.37  
5.04  
5.20  
5.37  
IZ (mA)  
Max  
120  
120  
120  
120  
VR (V)  
0.5  
IZ (mA)  
HZM2.0N  
HZM2.2N  
HZM2.4N  
HZM2.7N  
B
1.90  
2.10  
2.30  
2.50  
2.50  
2.65  
2.80  
2.80  
2.95  
3.10  
3.10  
3.25  
3.40  
3.40  
3.55  
3.70  
3.70  
3.87  
4.01  
4.01  
4.15  
4.28  
4.42  
4.42  
4.55  
4.69  
4.84  
4.84  
4.98  
5.14  
5
5
5
5
5
5
5
5
B
0.7  
100  
B
1.0  
100  
B
1.0  
110  
B1  
B2  
B
HZM3.0N  
HZM3.3N  
HZM3.6N  
HZM3.9N  
HZM4.3N  
5
5
5
5
5
50  
20  
10  
10  
10  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
120  
130  
130  
130  
130  
5
5
5
5
5
B1  
B2  
B
B1  
B2  
B
B1  
B2  
B
B1  
B2  
B
B1  
B2  
B3  
B
HZM4.7N  
HZM5.1N  
5
5
10  
5
1.0  
1.5  
130  
130  
5
5
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
Note: Tested with pulse (PW = 40ms)  
HZM-N Series  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)  
Zener Voltage*  
Test  
Reverse Current  
Dynamic Resistance  
Test  
Test  
VZ (V)  
Condition  
IZ (mA)  
5
IR (µA) Condition  
rd (Ω)  
Max  
80  
Condition  
IZ (mA)  
5
Type  
Grade Min  
Max  
5.92  
5.55  
5.73  
5.92  
6.53  
6.12  
6.33  
6.53  
7.14  
6.73  
6.93  
7.14  
7.84  
7.36  
7.60  
7.84  
8.64  
8.10  
8.36  
8.64  
9.55  
8.93  
9.23  
9.55  
10.55  
9.87  
10.21  
10.55  
Max  
VR (V)  
HZM5.6N  
B
5.31  
5.31  
5.49  
5.67  
5.86  
5.86  
6.06  
6.26  
6.47  
6.47  
6.65  
6.86  
7.06  
7.06  
7.28  
7.52  
7.76  
7.76  
8.02  
8.28  
8.56  
8.56  
8.85  
9.15  
9.45  
9.45  
9.77  
10.11  
5
2.5  
B1  
B2  
B3  
B
HZM6.2N  
HZM6.8N  
HZM7.5N  
HZM8.2N  
HZM9.1N  
HZM10N  
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
3.0  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
50  
30  
30  
30  
30  
30  
5
5
5
5
5
5
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
Note: Tested with pulse (PW = 40ms)  
HZM-N Series  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)  
Zener Voltage *  
Test  
Reverse Current  
Dynamic Resistance  
Test  
Test  
VZ (V)  
Condition  
IZ (mA)  
5
IR (µA) Condition  
rd (Ω)  
Max  
30  
Condition  
IZ (mA)  
5
Type  
Grade Min  
Max  
Max  
VR (V)  
HZM11N  
B
10.44  
10.44  
10.76  
11.10  
11.42  
11.42  
11.74  
12.08  
12.47  
12.47  
12.91  
13.37  
13.84  
13.84  
14.34  
14.85  
15.37  
15.37  
15.85  
16.35  
16.94  
16.94  
17.56  
18.21  
18.86  
18.86  
19.52  
20.21  
11.56  
10.88  
11.22  
11.56  
12.60  
11.90  
12.24  
12.60  
13.96  
13.03  
13.49  
13.96  
15.52  
14.46  
14.98  
15.52  
17.09  
16.01  
16.51  
17.09  
19.03  
17.70  
18.35  
19.03  
21.08  
19.70  
20.39  
21.08  
2
8.0  
B1  
B2  
B3  
B
HZM12N  
HZM13N  
HZM15N  
HZM16N  
HZM18N  
HZM20N  
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
9.0  
35  
35  
40  
40  
45  
50  
5
5
5
5
5
5
B1  
B2  
B3  
B
10.0  
11.0  
12.0  
13.0  
15.0  
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
B
B1  
B2  
B3  
Note: Tested with pulse (PW = 40ms)  
HZM-N Series  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)  
Zener Voltage*  
Test  
Reverse Current  
Dynamic Resistance  
Test  
Test  
VZ (V)  
Condition  
IZ (mA)  
5
IR (µA) Condition  
rd (Ω)  
Max  
55  
Condition  
IZ (mA)  
5
Type  
Grade Min  
Max  
Max  
VR (V)  
HZM22N  
B
20.88  
20.88  
21.54  
22.23  
22.93  
22.93  
23.72  
24.54  
25.10  
28.00  
31.00  
34.00  
23.17  
21.77  
22.47  
23.17  
25.57  
23.96  
24.78  
25.57  
28.90  
32.00  
35.00  
38.00  
2
17.0  
B1  
B2  
B3  
B
HZM24N  
5
2
19.0  
60  
5
B1  
B2  
B3  
B
HZM27N  
HZM30N  
HZM33N  
HZM36N  
2
2
2
2
2
2
2
2
21.0  
23.0  
25.0  
27.0  
70  
80  
80  
90  
2
2
2
2
B
B
B
Note: Tested with pulse (PW = 40ms)  
HZM-N Series  
MARK CODE  
Type  
Grade MARK No.  
Type  
Grade MARK No.  
Type  
Grade MARK No.  
HZM2.0N  
HZM2.2N  
HZM2.4N  
B
B
B
2 0 –  
2 2 –  
2 4 –  
2 7 1  
2 7 2  
3 0 1  
3 0 2  
3 3 1  
3 3 2  
3 6 1  
3 6 2  
3 9 1  
3 9 2  
4 3 1  
4 3 2  
4 3 3  
4 7 1  
4 7 2  
4 7 3  
5 1 1  
5 1 2  
5 1 3  
5 6 1  
5 6 2  
5 6 3  
6 2 1  
6 2 2  
6 2 3  
6 8 1  
6 8 2  
6 8 3  
HZM7.5N B1  
7 5 1  
7 5 2  
7 5 3  
8 2 1  
8 2 2  
8 2 3  
9 1 1  
9 1 2  
9 1 3  
1 0 1  
1 0 2  
1 0 3  
1 1 1  
1 1 2  
1 1 3  
1 2 1  
1 2 2  
1 2 3  
1 3 1  
1 3 2  
1 3 3  
1 5 1  
1 5 2  
1 5 3  
1 6 1  
1 6 2  
1 6 3  
1 8 1  
1 8 2  
1 8 3  
HZM20N B1  
2 0 1  
2 0 2  
2 0 3  
2 2 1  
2 2 2  
2 2 3  
2 4 1  
2 4 2  
2 4 3  
2 7 –  
3 0 –  
3 3 –  
3 6 –  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM2.7N B1  
HZM8.2N B1  
HZM22N B1  
B2  
B2  
B2  
HZM3.0N B1  
B3  
B3  
B2  
HZM9.1N B1  
HZM24N B1  
HZM3.3N B1  
B2  
B2  
B3  
B2  
B3  
HZM3.6N B1  
HZM10N B1  
HZM27N  
HZM30N  
HZM33N  
HZM36N  
B
B
B
B
B2  
B2  
HZM3.9N B1  
B3  
B2  
HZM11N B1  
HZM4.3N B1  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM12N B1  
HZM4.7N B1  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM13N B1  
HZM5.1N B1  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM15N B1  
HZM5.6N B1  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM16N B1  
HZM6.2N B1  
B2  
B2  
B3  
B3  
HZM18N B1  
HZM6.8N B1  
B2  
B3  
B2  
B3  
HZM-N Series  
Example of Marking  
1. One grade type (grade type B)  
Underline  
20 -  
30 -  
-
HZM2.0NB  
HZM30NB  
2. Two grade type (B1, B2)  
301  
302  
HZM3.0NB1  
HZM3.0NB2  
3. Three grade type (B1, B2, B3)  
433  
431  
432  
HZM4.3NB1  
HZM4.3NB3  
HZM4.3NB2  
The grade B type includes from B1 min. to B3 (or B2) max.  
Notes: 1.  
B grade is standard and has better delivery, These are marked one of B1, B2, B3.  
Ordering P/N HZM-N series are delivered taped (TL/TR).  
Choose one taping code and adhere to parts No.  
Example: HZM2.0NBTL (or TR), HZM2.2NBTL (or TR), HZM36NBTL (or TR).  
(Grade B type)  
2.  
3.  
HZM2.7NB1TL (or TR), HZM2.7NB2TL (or TR) •• HZM24NB3TL (or TR).  
(Grade B1, B2, B3 type)  
HZM-N Series  
10  
8
6
4
2
0
4
12  
20  
24  
28  
32  
36  
40  
8
16  
Zener Voltage VZ (V)  
Fig.1 Zener current Vs. Zener voltage  
0.10  
0.09  
0.08  
0.07  
0.06  
0.05  
0.04  
0.03  
0.02  
0.01  
0
%/°C  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
mV/°C  
5
0
–5  
–0.01  
–0.02  
–10  
–15  
–20  
–25  
–0.03  
–0.04  
–0.05  
–0.06  
10 15 20 25 30 35 40 45  
Zener Voltage VZ (V)  
0
5
Fig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage  
HZM-N Series  
250  
200  
1.0mm  
Cu Foil  
Printed circuit board  
×
×
25 62 1.6t mm  
Material:  
150  
100  
Glass Epoxy Resin + Cu Foil  
50  
0
0
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
200  
100  
150  
Fig.3 Power Dissipation Vs. Ambient Temperature  
HZM-N Series  
Package Dimensions  
Unit: mm  
+ 0.10  
– 0.06  
+ 0.10  
– 0.05  
0.4  
0.16  
Laser Mark  
3
0 – 0.10  
2
1
1 NC  
0.95  
0.95  
2 Anode  
1.9  
+ 0.3  
3 Cathode  
2.8  
– 0.1  
HITACHI Code  
JEDEC Code  
EIAJ Code  
MPAK(1)  
—
SC-59A  
0.011  
Weight (g)  
厂商 型号 描述 页数 下载

HITACHI

 		HZM 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 10 页

HITACHI

 		HZM-N 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 10 页

RENESAS

 		HZM-N 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 8 页

ETC

 		HZM-NSERIES [ ] 10 页

RENESAS

 		HZM-N_11 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 7 页

RENESAS

 		HZM10N 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 8 页

HITACHI

 		HZM10N 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 10 页

RENESAS

 		HZM10NB 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 8 页

RENESAS

 		HZM10NB1 硅外延平面齐纳二极管的稳定器[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer ] 8 页

HITACHI

 		HZM10NB1 [ Zener Diode, 9.66V V(Z), 2.1739%, 0.2W, Silicon, Unidirectional ] 10 页

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