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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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品牌：
INFINEON (213) ONSEMI (122) VISHAY (51) NEXPERIA (38) STMICROELECTRONICS (30) DIODES INC. (24) ROHM (13) IXYS SEMICONDUCTOR (8) RENESAS (4) WEEN SEMICONDUCTORS (4) NXP (4) INTERNATIONAL RECTIFIER (3) ANALOG DEVICES (3) ISOCOM (3) MICROCHIP (3) ST (2) LITTELFUSE (2) WOLFSPEED (2) TOSHIBA (2) PHILIPS (2) AOS (2) KINGBRIGHT (2) DIODES (1) BOURNS (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSS138NH6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E007127

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 2.22

100+： ¥ 1.26

500+： ¥ 0.83

1000+： ¥ 0.64

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.1

FDV303N 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E014780

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 2.31

100+： ¥ 1.31

500+： ¥ 0.88

1000+： ¥ 0.67

3000+： ¥ 0.58

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.55

IRF7103TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E007565

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 1.69

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 1.69

BSS138BK,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E005058

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 2.29

100+： ¥ 1.22

500+： ¥ 0.80

1000+： ¥ 0.54

3000+： ¥ 0.49

6000+： ¥ 0.43

9000+： ¥ 0.41

9000+： ¥ 0.41

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.45

2N7002,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E002475

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 1.76

100+： ¥ 0.93

500+： ¥ 0.59

1000+： ¥ 0.41

3000+： ¥ 0.36

6000+： ¥ 0.32

9000+： ¥ 0.29

24000+： ¥ 0.27

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 8.8

NDS331N 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E004467

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 2.82

100+： ¥ 2.14

500+： ¥ 1.74

1000+： ¥ 1.34

3000+： ¥ 1.13

6000+： ¥ 1.08

9000+： ¥ 1.01

24000+： ¥ 0.97

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 14.1

DMG2305UX-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E008283

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on))： 52mΩ@4.5V，4.2A

耗散功率(Pd)： 1.4W

5+： ¥ 2.10

100+： ¥ 1.15

500+： ¥ 0.80

1000+： ¥ 0.57

3000+： ¥ 0.44

9000+： ¥ 0.37

24000+： ¥ 0.35

45000+： ¥ 0.33

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 10.5

BSS138PS,115 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E005013

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 2.38

100+： ¥ 1.35

500+： ¥ 0.89

1000+： ¥ 0.68

3000+： ¥ 0.59

6000+： ¥ 0.58

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.9

BSS84 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E006413

类目：场效应管(MOSFET)

3000+： ¥ 0.70

PH： 1+

3000 个/EA

总额：¥ 2100

BSS84PH6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E000247

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 1.93

100+： ¥ 1.11

500+： ¥ 0.72

1000+： ¥ 0.56

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 9.65

NTS4101PT1G 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E002004

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 0.52

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 2.6

2N7002P,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E006553

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

3000+： ¥ 0.20

CN： 1+

3000 个/EA

总额：¥ 600

IRLML0060TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E004106

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 2.75

100+： ¥ 2.05

500+： ¥ 1.66

1000+： ¥ 1.28

3000+： ¥ 1.10

9000+： ¥ 1.01

24000+： ¥ 0.96

45000+： ¥ 0.95

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 13.75

SI2308BDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E004466

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 3.93

10+： ¥ 3.27

100+： ¥ 2.48

500+： ¥ 1.99

1000+： ¥ 1.77

US： 1+

1 个/EA

总额：¥ 3.93

BSS138P,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E004665

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 1.55

100+： ¥ 0.82

500+： ¥ 0.54

1000+： ¥ 0.37

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 7.75

DMG1012T-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E008280

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： 630mA

导通电阻(RDS(on))： 700mΩ@1.8V，350mA

耗散功率(Pd)： 280mW

5+： ¥ 1.72

100+： ¥ 0.91

500+： ¥ 0.67

1000+： ¥ 0.46

3000+： ¥ 0.35

9000+： ¥ 0.30

24000+： ¥ 0.27

45000+： ¥ 0.26

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 8.6

FDN337N 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E014785

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 3.34

100+： ¥ 2.50

500+： ¥ 1.97

1000+： ¥ 1.51

3000+： ¥ 1.38

6000+： ¥ 1.30

9000+： ¥ 1.26

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 16.7

FDN340P 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E014791

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 2.92

100+： ¥ 1.99

500+： ¥ 1.49

1000+： ¥ 1.13

3000+： ¥ 1.07

6000+： ¥ 1.02

9000+： ¥ 1.00

24000+： ¥ 0.90

US： 1+

5 个/EA

总额：¥ 14.6

DMG2305UX-13 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E008282

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 2.44

100+： ¥ 1.31

500+： ¥ 0.85

1000+： ¥ 0.53

5000+： ¥ 0.46

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 12.2

BSC059N04LSGATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E004041

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 7.65

10+： ¥ 6.85

100+： ¥ 5.34

500+： ¥ 4.42

1000+： ¥ 3.48

5000+： ¥ 3.26

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 7.65

Total:5391234567891011...27
总539条记录，每页20条，共27页。

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