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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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品牌：
INFINEON (213) ROHM (12) ONSEMI (116) RENESAS (4) VISHAY (46) NEXPERIA (37) DIODES INC. (24) DIODES (1) AOS (2) ST (1) PHILIPS (2) STMICROELECTRONICS (18) IXYS SEMICONDUCTOR (6) ANALOG DEVICES (3) TOSHIBA (2) NXP (4) WOLFSPEED (2) MICROCHIP (3) INTERNATIONAL RECTIFIER (3)
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封装：
QFN8 (1) TO220 (2) TO-252 (2) SOP8 (1) TO-263 (3) DFN33 (1)
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  • 达普现货
  • Texas Instruments
  • 达普订货
  • Digikey

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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

CRCW080510K0FKEA 复制

品牌0：VISHAY复制

编号：E005585

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

5000+： ¥ 0.06

IL： 1+

5000 个/EA

总额：¥ 300

CC0805KRX7R9BB104 复制

品牌：YAGEO复制

编号：E010522

类目： 贴片电阻

阻值： 20Ω

精度： ±1%

功率： 100mW

工作电压： 75V

10+： ¥ 0.31

100+： ¥ 0.18

1000+： ¥ 0.15

NL： 1+

10 个/EA

总额：¥ 3.1

Texas Instruments
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

GRM188R60J226MEA0D 复制

品牌1：MURATA复制

编号：E008566

类目：电容

4000+： ¥ 0.22

JP： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 880

达普订货
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

0603B102K500CT 复制

品牌2：WALSIN复制

编号：E007768

类目：电容

4000+： ¥ 0.04

4000+： ¥ 0.04

12000+： ¥ 0.03

12000+： ¥ 0.03

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

CN： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 160

0603B102K500CT 复制

品牌2：WALSIN复制

编号：E007768

类目：电容

4000+： ¥ 0.04

4000+： ¥ 0.04

12000+： ¥ 0.03

12000+： ¥ 0.03

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

CN： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 160

Digikey
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

WR04X000 PTL 复制

品牌3：WALSIN复制

编号：E007799

类目：电阻

10000+： ¥ 0.00

CN： 1+

10000 个/EA

总额：¥ 0

BSZ440N10NS3GATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E005742

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 6.59

10+： ¥ 5.92

100+： ¥ 4.62

500+： ¥ 3.82

1000+： ¥ 3.01

2000+： ¥ 2.81

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 6.59

FDN360P 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E014792

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 3.26

100+： ¥ 2.23

500+： ¥ 1.68

1000+： ¥ 1.26

3000+： ¥ 1.16

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 16.3

FDN306P 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E002391

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 2.93

100+： ¥ 2.20

500+： ¥ 1.73

1000+： ¥ 1.33

3000+： ¥ 1.23

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 14.65

BSC072N08NS5ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E008877

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 13.00

10+： ¥ 11.53

100+： ¥ 9.41

500+： ¥ 7.79

1000+： ¥ 6.07

2500+： ¥ 5.96

5000+： ¥ 5.83

10000+： ¥ 5.77

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 13

IRS2186STRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E008809

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 20.57

10+： ¥ 18.51

25+： ¥ 17.41

100+： ¥ 14.84

250+： ¥ 13.96

500+： ¥ 12.19

1000+： ¥ 10.65

2500+： ¥ 10.00

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 20.57

NTR5198NLT1G 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E006889

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 2.21

100+： ¥ 1.38

500+： ¥ 0.94

1000+： ¥ 0.73

3000+： ¥ 0.66

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.05

IPD50P04P4L11ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E007222

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 11.61

10+： ¥ 10.43

100+： ¥ 8.08

500+： ¥ 6.71

1000+： ¥ 5.29

2500+： ¥ 4.93

10000+： ¥ 4.51

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 11.61

IRF520NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E013975

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 8.02

10+： ¥ 7.22

100+： ¥ 5.64

500+： ¥ 4.66

1000+： ¥ 3.68

2000+： ¥ 3.43

10000+： ¥ 3.29

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 8.02

BSS84AK,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E005015

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 1.39

100+： ¥ 0.73

500+： ¥ 0.48

1000+： ¥ 0.32

3000+： ¥ 0.30

6000+： ¥ 0.27

9000+： ¥ 0.22

24000+： ¥ 0.21

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 6.95

BSZ100N06LS3GATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E005741

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 8.52

10+： ¥ 7.65

100+： ¥ 5.93

500+： ¥ 4.90

1000+： ¥ 4.25

5000+： ¥ 3.62

10000+： ¥ 3.30

25000+： ¥ 3.27

PH： 1+

1 个/EA

总额：¥ 8.52

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总499条记录，每页显示10条记录分50页显示。

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