请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
展开
收起
品牌：
INFINEON (213) ONSEMI (122) VISHAY (51) NEXPERIA (38) STMICROELECTRONICS (30) DIODES INC. (24) ROHM (13) IXYS SEMICONDUCTOR (8) WEEN SEMICONDUCTORS (4) NXP (4) RENESAS (4) ISOCOM (3) ANALOG DEVICES (3) INTERNATIONAL RECTIFIER (3) MICROCHIP (3) ST (2) KINGBRIGHT (2) WOLFSPEED (2) LITTELFUSE (2) AOS (2) PHILIPS (2) TOSHIBA (2) DIODES (1) BOURNS (1)
展开
收起

-

型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

FQD20N06TM 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E007421

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 6.76

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 33.8

SI2337DS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E005413

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 10.19

10+： ¥ 8.63

100+： ¥ 6.26

500+： ¥ 5.17

1000+： ¥ 4.08

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 10.19

SCT4062KW7TL 复制

品牌：ROHM复制

编号：E013037

类目： 数字晶体管

集射极击穿电压(Vceo)： 50V

集电极电流(Ic)： 100mA

耗散功率(Pd)： 150mW

1+： ¥ 105.40

5+： ¥ 95.39

10+： ¥ 82.10

50+： ¥ 74.26

100+： ¥ 68.83

TH： 1+

1 个/EA

总额：¥ 105.4

DMP1005UFDF-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E012669

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 3.97

10+： ¥ 3.20

100+： ¥ 2.45

500+： ¥ 1.99

1000+： ¥ 1.54

3000+： ¥ 1.32

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 3.97

DMT10H009LK3-13 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E011657

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 9.33

10+： ¥ 7.26

100+： ¥ 5.95

500+： ¥ 5.74

2500+： ¥ 4.87

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 9.33

AFT20S015GNR1 复制

品牌：NXP复制

编号：E009969

类目： 专用时钟/计时

手册:  

工作电压： 900mV~5.5V

输入低电平(VIL)： 0V~1.65V

输入高电平(VIH)： 0.63V~5.5V

输出低电平(VOL)： 0V~1.1V

1+： ¥ 193.72

10+： ¥ 178.65

25+： ¥ 170.62

100+： ¥ 165.73

US： 1+

1 个/EA

总额：¥ 193.72

STP33N60M2 复制

品牌：STMICROELECTRONICS复制

编号：E009423

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 36.57

10+： ¥ 32.90

100+： ¥ 26.97

500+： ¥ 22.93

1000+： ¥ 19.34

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 36.57

IPD60R400CEAUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E009287

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 10.73

10+： ¥ 9.62

100+： ¥ 7.49

500+： ¥ 6.18

1000+： ¥ 4.87

2500+： ¥ 4.32

10000+： ¥ 4.17

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 10.73

IRFZ48NSTRLPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E009286

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 11.76

10+： ¥ 10.51

100+： ¥ 8.52

500+： ¥ 6.96

800+： ¥ 5.76

2400+： ¥ 5.37

4800+： ¥ 5.17

9600+： ¥ 5.03

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 11.76

MIC4423YM 复制

品牌：MICROCHIP复制

编号：E007888

类目： EEPROM

手册:  

存储容量： 2Kbit

时钟频率(fc)： 1MHz

工作电压： 1.7V~3.6V

写周期时间(Tw)： 5ms

1+： ¥ 15.70

25+： ¥ 11.85

100+： ¥ 11.57

TH： 1+

1 个/EA

总额：¥ 15.7

IRF540SPBF 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E000115

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 5.45

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 5.45

NTD600N80S3Z 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E012741

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 17.00

10+： ¥ 15.21

100+： ¥ 12.29

500+： ¥ 10.07

1000+： ¥ 8.36

2500+： ¥ 7.72

5000+： ¥ 7.43

10000+： ¥ 7.39

PH： 1+

1 个/EA

总额：¥ 17

BSC0402NSATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E011999

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 22.26

10+： ¥ 20.06

100+： ¥ 16.46

500+： ¥ 13.96

1000+： ¥ 11.25

5000+： ¥ 10.80

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 22.26

NTBGS4D1N15MC 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E011786

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 43.43

10+： ¥ 39.02

25+： ¥ 36.89

100+： ¥ 30.34

250+： ¥ 27.22

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 43.43

MCC501-16IO2 复制

品牌：IXYS SEMICONDUCTOR复制

编号：E011728

类目：晶闸管(可控硅) / 模块

手册:  

1+： ¥ 955.11

DE： 1+

1 个/EA

总额：¥ 955.11

F423MR12W1M1B11BOMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E011216

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 875.25

DE： 1+

1 个/EA

总额：¥ 875.25

STF13N80K5 复制

品牌：STMICROELECTRONICS复制

编号：E009420

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

1+： ¥ 29.47

10+： ¥ 26.50

100+： ¥ 21.71

500+： ¥ 18.48

1000+： ¥ 15.72

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 29.47

SI8851EDB-T2-E1 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E006811

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

6000+： ¥ 1.73

CN： 1+

6000 个/EA

总额：¥ 10380

IRFB3006PBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E003462

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 28.28

10+： ¥ 26.21

100+： ¥ 20.93

500+： ¥ 18.93

1000+： ¥ 16.21

2000+： ¥ 15.43

MX： 1+

1 个/EA

总额：¥ 28.28

Total:5391...1718192021222324252627
总539条记录，每页20条，共27页。

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于达普

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：smail@ic72.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

达普官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.265250s