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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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品牌：
INFINEON (213) ONSEMI (122) VISHAY (51) NEXPERIA (38) STMICROELECTRONICS (30) DIODES INC. (24) ROHM (13) IXYS SEMICONDUCTOR (8) RENESAS (4) WEEN SEMICONDUCTORS (4) NXP (4) INTERNATIONAL RECTIFIER (3) ANALOG DEVICES (3) ISOCOM (3) MICROCHIP (3) ST (2) LITTELFUSE (2) WOLFSPEED (2) TOSHIBA (2) PHILIPS (2) AOS (2) KINGBRIGHT (2) DIODES (1) BOURNS (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

HIP4086ABZT 复制

品牌：RENESAS复制

编号：E016628

类目： 其他接口

手册:  

商品目录： 其他接口

接口类型： PCIe

数据速率： 5Gbps

工作温度： -40℃~+85℃

1+： ¥ 48.85

10+： ¥ 44.13

25+： ¥ 41.42

100+： ¥ 36.56

250+： ¥ 34.92

500+： ¥ 32.35

1000+： ¥ 26.85

2000+： ¥ 26.33

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 48.85

SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E016618

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 4.72

10+： ¥ 4.03

100+： ¥ 3.01

500+： ¥ 2.36

1000+： ¥ 1.83

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 4.72

IAUT300N08S5N012ATMA2 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016616

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 49.72

10+： ¥ 44.66

100+： ¥ 36.66

500+： ¥ 31.15

1000+： ¥ 26.30

2000+： ¥ 24.98

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 49.72

FQB34N20LTM 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016573

类目：场效应管(MOSFET)

1+： ¥ 24.52

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 24.52

IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016548

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 10.18

10+： ¥ 9.07

100+： ¥ 7.08

500+： ¥ 5.85

1000+： ¥ 4.62

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 10.18

IPB073N15N5ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016538

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 41.06

10+： ¥ 36.14

100+： ¥ 30.12

500+： ¥ 26.15

1000+： ¥ 21.38

2000+： ¥ 20.64

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 41.06

FDMC6679AZ 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016517

类目：场效应管(MOSFET)

1+： ¥ 10.22

10+： ¥ 9.19

100+： ¥ 7.11

500+： ¥ 5.88

1000+： ¥ 4.79

3000+： ¥ 4.47

6000+： ¥ 4.41

9000+： ¥ 4.26

TH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 10.22

FDS6875 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016505

类目：场效应管(MOSFET)

1+： ¥ 9.48

10+： ¥ 8.45

100+： ¥ 6.60

500+： ¥ 5.46

1000+： ¥ 4.74

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 9.48

NTR4170NT1G 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016503

类目：场效应管(MOSFET)

手册:  

5+： ¥ 2.49

100+： ¥ 1.84

500+： ¥ 1.47

1000+： ¥ 1.11

3000+： ¥ 0.88

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.45

SIR462DP-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E016493

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 3.35

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 3.35

DF11MR12W1M1PB11BPSA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016436

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 679.33

DE： 255+

1 个/EA

总额：¥ 679.33

SPA07N60C3XKSA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016397

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 19.96

10+： ¥ 17.93

100+： ¥ 14.41

500+： ¥ 11.84

1000+： ¥ 9.81

2000+： ¥ 9.14

5000+： ¥ 8.80

KR： 255+

1 个/EA

总额：¥ 19.96

IRFZ48NSTRLPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016395

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 11.76

10+： ¥ 10.51

100+： ¥ 8.52

500+： ¥ 6.96

800+： ¥ 5.76

2400+： ¥ 5.37

4800+： ¥ 5.17

9600+： ¥ 5.03

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 11.76

FDMT800120DC 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016377

类目：场效应管(MOSFET)

1+： ¥ 49.51

10+： ¥ 44.73

100+： ¥ 37.02

500+： ¥ 32.25

1000+： ¥ 29.48

PH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 49.51

PMV27UPER 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E016326

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 2.80

100+： ¥ 2.10

500+： ¥ 1.69

1000+： ¥ 1.30

3000+： ¥ 1.20

6000+： ¥ 1.16

9000+： ¥ 1.13

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 14

BSS126H6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016289

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 3.35

100+： ¥ 2.50

500+： ¥ 1.96

1000+： ¥ 1.51

3000+： ¥ 1.38

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 16.75

BSS84 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016267

类目：场效应管(MOSFET)

3000+： ¥ 0.70

PH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 2100

PSMN4R3-40MSHX 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E016247

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

1+： ¥ 12.05

10+： ¥ 10.88

100+： ¥ 8.45

500+： ¥ 6.97

1000+： ¥ 5.50

1500+： ¥ 4.79

3000+： ¥ 4.70

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.05

DMP2305U-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E016245

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 2.06

100+： ¥ 1.22

500+： ¥ 0.86

1000+： ¥ 0.65

3000+： ¥ 0.47

9000+： ¥ 0.45

24000+： ¥ 0.38

45000+： ¥ 0.37

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 10.3

BSC014NE2LSIATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016207

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 12.56

10+： ¥ 11.25

100+： ¥ 8.82

500+： ¥ 7.24

1000+： ¥ 5.71

5000+： ¥ 5.34

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.56

Total:5391...1112131415161718192021...27
总539条记录，每页20条，共27页。

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