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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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品牌：
NEXPERIA (3) DIODES INC. (1) INFINEON (15) ROHM (3) ONSEMI (8) STMICROELECTRONICS (1) VISHAY (4) RENESAS (1)
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  • 立创现货
  • Texas Instruments
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  • Digikey

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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

CRCW080510K0FKEA 复制

品牌0：VISHAY复制

编号：E005585

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

5000+： ¥ 0.06

IL： 1+

5000 个/EA

总额：¥ 300

CC0805KRX7R9BB104 复制

品牌：YAGEO复制

编号：E010522

类目： 贴片电阻

阻值： 20Ω

精度： ±1%

功率： 100mW

工作电压： 75V

10+： ¥ 0.31

100+： ¥ 0.18

1000+： ¥ 0.15

NL： 1+

10 个/EA

总额：¥ 3.1

Texas Instruments
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

GRM188R60J226MEA0D 复制

品牌1：MURATA复制

编号：E008566

类目：电容

4000+： ¥ 0.22

JP： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 880

立创订货
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

0603B102K500CT 复制

品牌2：WALSIN复制

编号：E007768

类目：电容

4000+： ¥ 0.04

4000+： ¥ 0.04

12000+： ¥ 0.03

12000+： ¥ 0.03

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

CN： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 160

0603B102K500CT 复制

品牌2：WALSIN复制

编号：E007768

类目：电容

4000+： ¥ 0.04

4000+： ¥ 0.04

12000+： ¥ 0.03

12000+： ¥ 0.03

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

100000+： ¥ 0.02

CN： 1+

4000 个/EA

总额：¥ 160

Digikey
原厂正品 | 免国际邮费 | 非自营现货 交期、价格需再次核实

WR04X000 PTL 复制

品牌3：WALSIN复制

编号：E007799

类目：电阻

10000+： ¥ 0.00

CN： 1+

10000 个/EA

总额：¥ 0

PSMN4R3-40MSHX 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E016247

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

1+： ¥ 12.05

10+： ¥ 10.88

100+： ¥ 8.45

500+： ¥ 6.97

1000+： ¥ 5.50

1500+： ¥ 4.79

3000+： ¥ 4.70

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.05

DMP2305U-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

编号：E016245

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 2.06

100+： ¥ 1.22

500+： ¥ 0.86

1000+： ¥ 0.65

3000+： ¥ 0.47

9000+： ¥ 0.45

24000+： ¥ 0.38

45000+： ¥ 0.37

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 10.3

BSC014NE2LSIATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016207

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 12.56

10+： ¥ 11.25

100+： ¥ 8.82

500+： ¥ 7.24

1000+： ¥ 5.71

5000+： ¥ 5.34

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.56

BUK7S0R7-40HJ 复制

品牌：NEXPERIA复制

编号：E016203

类目： 开关二极管

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

1+： ¥ 47.23

10+： ¥ 42.41

100+： ¥ 34.75

500+： ¥ 29.58

1000+： ¥ 24.95

PH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 47.23

R6076ENZ1C9 复制

品牌：ROHM复制

编号：E016137

类目： 数字晶体管

集射极击穿电压(Vceo)： 50V

集电极电流(Ic)： 100mA

耗散功率(Pd)： 150mW

1+： ¥ 46.35

TH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 46.35

2ED21824S06JXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016118

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 22.41

10+： ¥ 20.13

25+： ¥ 19.03

100+： ¥ 16.53

250+： ¥ 15.65

500+： ¥ 14.03

1000+： ¥ 12.86

2500+： ¥ 12.12

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 22.41

RJU002N06FRAT106 复制

品牌：ROHM复制

编号：E016115

类目： 数字晶体管

手册:  

集射极击穿电压(Vceo)： 50V

集电极电流(Ic)： 100mA

耗散功率(Pd)： 150mW

5+： ¥ 0.45

TH： 255+

1 个/EA

总额：¥ 2.25

FCH47N60NF 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016109

类目：场效应管(MOSFET)

1+： ¥ 37.10

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 37.1

BSS138K 复制

品牌：ONSEMI复制

编号：E016043

类目：场效应管(MOSFET)

5+： ¥ 1.96

100+： ¥ 1.12

500+： ¥ 0.74

1000+： ¥ 0.57

3000+： ¥ 0.49

6000+： ¥ 0.45

9000+： ¥ 0.43

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 9.8

IPB200N25N3GATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016025

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 60.23

10+： ¥ 54.42

100+： ¥ 45.03

500+： ¥ 39.23

1000+： ¥ 34.16

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 60.23

Total:361234
总36条记录，每页显示10条记录分4页显示。

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