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ILD621GB 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

编号:D3617268

Vce 饱和压降(最大):400mV

上升、下降时间(典型值):2µs,2µs

供应商器件封装:8-DIP

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

总额:¥ 0

ILD621GB 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E002920

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 12.750000

10+: ¥ 8.550000

100+: ¥ 6.530000

500+: ¥ 5.910000

1000+: ¥ 5.080000

2000+: ¥ 5.070000

4000+: ¥ 4.690000

10000+: ¥ 4.610000

MY: 1+

1 个/EA

总额:¥ 12.75

ILD621GB-X007T 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

编号:D3611859

Vce 饱和压降(最大):400mV

上升、下降时间(典型值):2µs,2µs

供应商器件封装:8-SMD

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

总额:¥ 0

ILD621GB-X001 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

编号:D3607689

Vce 饱和压降(最大):400mV

上升、下降时间(典型值):2µs,2µs

供应商器件封装:8-DIP

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

总额:¥ 0

ILD621GB-X007 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

编号:D3607690

Vce 饱和压降(最大):400mV

上升、下降时间(典型值):2µs,2µs

供应商器件封装:8-SMD

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

总额:¥ 0

Total:51
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