产品描述:场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 60V, 0.2A, UMT3
产品参数
产品属性 |
属性值 |
商品目录 |
数字晶体管 |
晶体管类型 |
- |
集射极击穿电压(Vceo) |
50V |
集电极电流(Ic) |
100mA |
耗散功率(Pd) |
150mW |
PDF描述:Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, UMT3, 3 PIN