产品描述：场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 0.027Ω, 36A, TDSON-8
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
55V |
| 连续漏极电流(Id) |
110A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
8mΩ@10V，62A |
| 耗散功率(Pd) |
200W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
4V |
| 栅极电荷量(Qg) |
146nC |
| 输入电容(Ciss) |
3.247nF |
| 反向传输电容(Crss) |
211pF |
| 工作温度 |
-55℃~+175℃ |
PDF描述：Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
