产品描述:全新
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
25V |
| 连续漏极电流(Id) |
220mA |
| 导通电阻(RDS(on)) |
5Ω@2.7V,0.2A |
| 耗散功率(Pd) |
350mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
1.06V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) |
700pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) |
9.5pF |
| 反向传输电容(Crss) |
1.3pF |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
| 类型 |
N沟道 |
| 输出电容(Coss) |
6pF |
PDF描述:Digital FET , N-Channel 数字场效应管, N通道