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HYS72V1000GU-50

型号：

HYS72V1000GU-50

描述：

3.3V 1M ×64位的SDRAM模块3.3V 1M X 72位的SDRAM模块[ 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

70 K

下载PDF手册
3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module  
3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module  
HYS64V1000GS-10/-12/-15  
HYS72V1000GS-10/-12/-15  
168 pin unbuffered DIMM Modules  
Target Information  
• 168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte  
Dual-In-Line SDRAM Module  
• 1 bank 1M x 64, 1M x 72 organisation  
• Optimized for byte-write non-parity or ECC applications  
• JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)  
• Performance:  
-10  
-12  
83  
-15  
66  
Units  
fCK  
Clock frequency  
Clock cycle time  
100  
MHz  
ns  
tCK3  
tAC3  
10  
9
12  
11  
15  
13  
Clock access time  
CAS latency = 3  
ns  
• Single +3.3V(± 0.3V ) power supply  
• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
• Decoupling capacitors mounted on substrate  
• All inputs, outputs are LVTTL compatible  
• Serial presence detects  
• Utilizes four / five 1M x 16 SDRAMs in TSOPII-50 packages  
• 4096 refresh cycles every 64 ms  
• Gold contact pad  
• Card Size: 133,35mm x 25,40mm x 3,00 mm  
• This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 168  
pin Unbuffered DRAM DIMM module family.  
Semiconductor Group  
1
4.96  
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
The HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15 are industry standard 168-pin 8-byte Dual in-line Memory  
Modules (DIMMs) which are organised as 1M x 64 and 1M x 72 high speed memory arrays  
designed with Synchronous DRAMs (SDRAMs) for non-parity and ECC applications. The DIMMs  
use four 1M x 16 SDRAMs for the 1M x 64 organisation and an additional SDRAM for the 1M x 72  
organisation. Decoupling capacitors are mounted on the PC board.  
2
The DIMMs use optional serial presence detects implemented via a serial E PROM using the two  
2
pin I C protocol. The first 128 bytes are utilized by the DIMM manufacturer and the second 128  
bytes are available to the end user.  
All SIEMENS 168-pin DIMMs provide a high performance, flexible 8-byte interface in a 133,35 mm  
long footprint.  
Ordering Information  
Type  
Ordering Code  
Package  
Descriptions  
HYS 64V1000GU-50  
HYS 64V1000GU-60  
HYS 64V1000GU-70  
HYS 72V1000GU-50  
HYS 72V1000GU-50  
HYS 72V1000GU-70  
L-DIM-168-15  
L-DIM-168-15  
L-DIM-168-15  
L-DIM-168-15  
L-DIM-168-15  
L-DIM-168-15  
100 Mhz 1M x 64 SDRAM module  
83 Mhz 1M x 64 SDRAM module  
66 MHz 1M x 64 SDRAM module  
100 MHz 1M x 72 SDRAM module  
83 Mhz 1M x 72 SDRAM module  
66 Mhz 1M x 72 SDRAM module  
Pin Names  
A0-A10  
A11 (BS)  
Address Inputs  
Bank Select  
DQ0 - DQ63  
CB0-CB7  
RAS  
Data Input/Output  
Check Bits (x72 organisation only)  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read / Write Input  
Clock Enable  
CAS  
WE  
CKE  
CLK0 - CLK3  
DQMB0 - DQMB7  
CS0 - CS3  
Vcc  
Clock Input  
Data Mask  
Chip Select  
Power (+3.3 Volt)  
Ground  
Vss  
SCL  
Clock for Presence Detect  
Serial Data Out for Presence Detect  
No Connection  
SDA  
N.C.  
Address Format:  
Part Number  
SDRAM  
banks  
Rows  
Columns  
Refresh  
Period  
Interval  
1M x 64  
1M x 72  
HYS 64V1000GS  
HYS 72V1000GS  
2
2
11  
11  
8
8
4k  
4k  
64 ms  
64 ms  
15,6 µs  
15,6 µs  
Semiconductor Group  
2
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
Pin Configuration  
PIN #  
Symbol  
PIN #  
Symbol  
PIN #  
Symbol  
PIN #  
Symbol  
1
VSS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
VSS  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
VCC  
DQ14  
DQ15  
NC (CB0)  
NC (CB1)  
VSS  
NC  
43  
VSS  
85  
VSS  
127  
VSS  
2
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
DU  
86  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
VCC  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
168  
CKE  
CS3  
3
CS2  
87  
4
DQMB2  
DQMB3  
DU  
88  
DQMB6  
DQMB7  
NC  
5
89  
6
90  
7
VCC  
91  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
VSS  
VCC  
NC  
8
NC  
92  
9
NC  
93  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
NC (CB2)  
NC (CB3)  
VSS  
94  
CB6  
95  
CB7  
96  
VSS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
VCC  
97  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
VCC  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
VCC  
DQ52  
NC  
98  
99  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
DQ20  
NC  
DQ46  
DQ47  
NC (CB4)  
NC (CB5)  
VSS  
DU  
DU  
NC  
NC  
VSS  
VSS  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
VSS  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
VSS  
NC  
NC  
NC  
VCC  
WE  
VCC  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
VCC  
CAS  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
VCC  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
VSS  
DQMB0  
DQMB1  
CS0  
DQMB4  
DQMB5  
CS1  
DU  
RAS  
VSS  
A0  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
VSS  
VSS  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
CLK2  
NC  
A9  
CLK3  
NC  
A10  
A11=BS  
NC  
NC  
NC  
SA0  
VCC  
VCC  
CLK0  
SDA  
VCC  
SA1  
SCL  
CLK1  
NC  
SA2  
VCC  
VCC  
Note : Pinnames in brackets are for the x72 ECC versions  
Semiconductor Group  
3
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
WE  
CS0  
CS WE  
CS WE  
LDQM  
LDQM  
DQMB0  
DQMB4  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ32-DQ39  
DQMB1  
DQMB5  
UDQM  
UDQM  
DQ8-DQ15  
DQ8-DQ15  
DQ40-DQ47  
DQ8-DQ15  
D0  
D2  
CS2  
CS WE  
CS WE  
LDQM  
LDQM  
DQMB2  
DQMB6  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ16-DQ23  
DQ48-DQ55  
UDQM  
UDQM  
DQMB3  
DQMB7  
DQ8-DQ15  
DQ8-DQ15  
DQ24-DQ31  
DQ56-DQ63  
D1  
D3  
E2PROM (256wordx8bit)  
A0-A10,BS  
VCC  
D0 - D3  
C1-C4  
SA0  
SA1  
SA2  
SA0  
SA1  
SA2  
D0 - D3  
D0 - D3  
VSS  
SCL  
SDA  
RAS  
D0 - D3  
D0 - D3  
CAS  
CKE  
D0 - D3  
D0, D2  
D1,D3  
CLK0  
note: all resistors are 18 Ohms  
Block Diagram for 1M x 64 SDRAM DIMM module  
Semiconductor Group  
4
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
WE  
CS0  
CS WE  
CS WE  
LDQM  
LDQM  
DQMB0  
DQMB4  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ32-DQ39  
DQMB1  
DQMB5  
UDQM  
UDQM  
DQ8-DQ15  
DQ8-DQ15  
DQ40-DQ47  
DQ8-DQ15  
D0  
D2  
CS WE  
UDQM  
CS WE  
LDQM  
CB4-CB7  
DQ8-DQ11  
1/4 D4  
CB0-CB3  
CS2  
DQ4-DQ7  
1/4 D4  
CS WE  
CS WE  
LDQM  
LDQM  
DQMB2  
DQMB6  
DQ0-DQ7  
DQ0-DQ7  
DQ16-DQ23  
DQ48-DQ55  
UDQM  
UDQM  
DQMB3  
DQMB7  
DQ8-DQ15  
DQ8-DQ15  
DQ24-DQ31  
DQ56-DQ63  
D1  
D3  
E2PROM (256wordx8bit)  
A0-A10,BS  
D0 - D3  
C1-C5  
VCC  
VSS  
RAS  
CAS  
CKE  
CLK0  
SA0  
SA1  
SA2  
SA0  
SA1  
SA2  
D0 - D4  
D0 - D4  
SCL  
SDA  
D0 - D4  
D0 - D4  
D0 - D4  
,D4  
D0, D2  
D1,D3  
note: all resistors are 18 Ohms  
Block DIagram for 1M x 72 SDRAM - DIMM module  
Semiconductor Group  
5
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
DC Characteristics  
TA = 0 to 70 °C; VSS = 0 V; VDD,VDDQ = 3.3 V ± 0.3 V  
Parameter  
Symbol  
Limit Values  
max.  
Unit  
min.  
2.0  
Input high voltage  
VIH  
VIL  
Vcc+0.3  
V
Input low voltage  
– 0.5  
2.4  
0.8  
–
V
Output high voltage (IOUT = – 2.0 mA)  
Output low voltage (IOUT = 2.0 mA)  
VOH  
VOL  
II(L)  
V
–
0.4  
10  
V
Input leakage current, any input  
– 10  
µA  
(0 V < VIN < 3.6 V, all other inputs = 0 V)  
Output leakage current  
IO(L)  
– 10  
10  
µA  
(DQ is disabled, 0 V < VOUT < VCC)  
o
Standby and Refresh Currents (T = 0 to 70 C, VCC = 3.3V ± 0.3V)  
a
Speed  
Sort  
Note  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
X64 X72  
Precharged Standby  
Current in Power  
Down Mode  
Icc1P CKE=<VIL(max), tCK=15ns  
12  
8
15 mA  
Icc1PS CKE=<VIL(max),  
tCK=Infinity  
10 mA  
60 mA  
30 mA  
Precharged Standby  
Current in Non-  
power  
Icc1N CKE=>VIH(min), tCK=15ns  
Input Change in every 30ns  
48  
24  
Icc1NS CKE=>VIH(min),  
tCK=Infinity  
Down Mode  
No Input Change  
Active Standby  
Current in Power  
Down Mode  
Icc2P CKE=<VIL(max), tCK=15ns  
12  
8
15 mA  
10 mA  
Icc2PS CKE=<VIL(max),  
tCK=Infinity  
Active Standby  
Current in Non-  
power Down Mode  
Icc2N CKE=>VIH(min), tCK=15ns  
Input Change in every 30ns  
64  
40  
80 mA  
50 mA  
Icc2NS CKE=>VIH(min),tCK=Infinity  
No Input Change  
Refresh Current  
Icc3  
tRC=>tRC(min)  
CAS Latency = 3  
-10  
-12  
-15  
500 625 mA  
440 550 mA  
360 450 mA  
Self Refresh Current  
Operating Current  
Icc4  
Icc5  
CKE=<0,2V  
8
10 mA  
tRC=tRC(min), tck>tck,min  
Io = 0mA  
CAS Latency=3,Burst = 4  
-10  
-12  
-15  
560 700 mA  
500 625 mA  
400 500 mA  
Semiconductor Group  
6
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
Capacitance  
TA = 0 to 70 °C; VDD = 3.3 V ± 0.3 V, f = 1 MHz  
Parameter  
Symbol  
Limit Values  
Unit  
min.  
max.  
55  
Input capacitance (A0 to A11)  
CI1  
CI2  
–
–
pF  
pF  
Input capacitance  
25  
(RAS, CAS, WE, CS0, CS2,CLK0, CKE, DQMB0-7)  
Output capacitance (DQ0-DQ63,CB0-CB7)  
Input Capacitance (SCL,SA0-2)  
Input/Output Capacitance  
CIO  
–
–
–
11  
8
pF  
pF  
pF  
C
sc  
sd  
C
10  
AC characteristics and waveforms  
For AC characteristics, detailed function description and waveforms see the SDRAM datasheet  
HYB39S164/8/160T.  
Semiconductor Group  
7
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
Serial Presence Detect  
2
A serial presence detect storage device - E PROM 34C02 - is assembled onto the module.  
2
Information about the module configuration, speed, etc. is written into the E PROM device during  
module production using a serial presence detect protocol ( I2C synchronous 2-wire bus)  
Byte#  
Description  
SPD  
Entry  
Value  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex  
0
1
2
3
4
5
6
Number of SPD bytes  
Total bytes in Serial PD  
Memory Type  
128  
256  
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
80  
08  
04  
0C  
08  
01  
40  
48  
00  
01  
A0  
C0  
F0  
90  
B0  
D0  
00  
02  
00  
SDRAM  
12  
Number of Row Addresses  
Number of Column Addresses  
Number of DIMM Banks  
Module Data Width  
8
1
64  
72  
7
8
9
Module Data Width (cont’d)  
Module Interface Levels  
SDRAM Cycle Time  
0
LVTTL  
10 ns  
12 ns  
15 ns  
9 ns  
11 ns  
13 ns  
none  
ECC  
10 SDRAM Access time from  
Clock  
11  
Dimm Config (Error Det/Corr.)  
12 Refresh Rate/Type  
norrmal  
15.6µs  
13 SDRAM Module Attributes  
14 SDRAM Device Attributes  
15 SDRAM Device Attributes  
16 Burst Length supported  
17 Number of SDRAM banks  
18 Supported CAS Latencies  
19 CS Latencies  
*)  
*)  
*)  
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
2
01  
*)  
*)  
20 WE Latencies  
note : *) not decided yet  
Semiconductor Group  
8
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15  
1M x 64/72 SDRAM-Module  
L-DIM-168-15  
SDRAM DIMM Module package  
Semiconductor Group  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

INFINEON

 		HYS64-72V2200GU-8 3.3V 2M ×64 /72- 1位BANK SDRAM模块3.3V 4M ×64 /72- 2位BANK SDRAM模块[ 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module ] 17 页

INFINEON

 		HYS64-74V8200GU 3.3 V 8M ×64 /72- 1位银行SDRAM模块3.3 V 16M ×64 /72- 2位银行SDRAM模块[ 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module ] 17 页

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 		HYS6472V16200GU 3.3 V 16M ×64 /72-位SDRAM模块3.3 V 32M ×64 /72-位SDRAM模块3.3 V 64M ×64 /72-位SDRAM模块[ 3.3 V 16M x 64/72-Bit SDRAM Modules 3.3 V 32M x 64/72-Bit SDRAM Modules 3.3 V 64M x 64/72-Bit SDRAM Modules ] 17 页

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 		HYS6472V4200GU 3.3V 4M ×64 /72- 1位BANK SDRAM模块3.3V 8M ×64 /72- 2位BANK SDRAM模块[ 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module ] 15 页

INFINEON

 		HYS64D128020GBDL-6-A [ DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, SO-DIMM-200 ] 11 页

ETC

 		HYS64D128020GBDL-7-A ？ 1GB （ 1024Mx64 ） PC2100 2银行？\n[ ?1GB (1024Mx64) PC2100 2-bank? ] 11 页

INFINEON

 		HYS64D128020GU-7-A 2.5 V 184针无缓冲DDR- SDRAM我模块[ 2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules ] 18 页

INFINEON

 		HYS64D128020GU-8-A 2.5 V 184针无缓冲DDR- SDRAM我模块[ 2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules ] 18 页

QIMONDA

 		HYS64D128020GU-8-A [ DDR DRAM Module, 128MX64, 0.8ns, CMOS, PDMA184 ] 18 页

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 		HYS64D128021 200针的小型双列直插式内存模块[ 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules ] 23 页

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