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HZS36-3L

型号：

HZS36-3L

品牌：

EIC[ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

90 K

下载PDF手册
TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
ZENER DIODES  
HZS-L Series  
DO - 34 Glass  
PD : 400 mW  
1.00 (25.4)  
0.078 (2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
* High peak reverse power dissipation  
* High reliability  
* Low leakage current  
* Pb / RoHS Free  
0.118 (3.0)  
max.  
Cathode  
Mark  
1.00 (25.4)  
min.  
0.017 (0.43)max.  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-34 Glass Case  
Weight: approx. 0.093g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Forward Rectifier Current  
IF  
150  
mA  
PD  
Power Dissipation  
400  
200  
mW  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
Derating Curve  
500  
400  
L = 5 mm  
300  
200  
L = 10 mm  
100  
0
0
50  
100  
150  
200  
Ambient Temperture, Ta (°C)  
Page 1 of 3  
Rev. 04 : December 3, 2008  
TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Test  
Current  
Maximum Dymamic  
Resistance  
Maximum  
Reverse Current  
Typical Temperature  
Coefficient *  
Zener Voltage  
Type  
Grade  
IR  
@
VR  
Vz (V)  
IZT  
rd  
@
IZ  
IZ  
γZ(mV/ °C)  
min.  
max.  
(mA)  
(Ω)  
(mA)  
(μA)  
(V)  
(mA)  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
B3  
C1  
C2  
C3  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
B3  
C1  
C2  
C3  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
B3  
C1  
C2  
C3  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
B3  
C1  
C2  
C3  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
B3  
C1  
C2  
C3  
5.2  
5.3  
5.5  
5.6  
150  
80  
5.4  
5.7  
5.5  
5.8  
HZS6L  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1
1
1
1
1
2.0  
2.0  
0.5  
5.6  
5.9  
5.7  
6.0  
5.8  
6.1  
60  
6.0  
6.3  
6.1  
6.4  
6.3  
6.6  
6.4  
6.7  
6.6  
6.9  
6.7  
7.0  
HZS7L  
60  
60  
80  
80  
3.5  
3.0  
0.5  
0.5  
2.0  
0.5  
6.9  
7.2  
7.0  
7.3  
7.2  
7.6  
7.3  
7.7  
7.5  
7.9  
7.7  
8.1  
7.9  
8.3  
8.1  
8.5  
8.3  
8.7  
HZS9L  
6.0  
7.0  
8.5  
8.9  
8.7  
9.1  
8.9  
9.3  
9.1  
9.5  
9.3  
9.7  
9.5  
9.9  
9.7  
10.1  
10.3  
10.6  
10.8  
11.1  
11.3  
11.6  
11.9  
12.1  
12.4  
12.7  
12.9  
13.1  
13.4  
13.7  
14.0  
14.3  
9.9  
10.2  
10.4  
10.7  
10.9  
11.1  
11.4  
11.6  
11.9  
12.2  
12.4  
12.6  
12.9  
13.2  
13.5  
13.8  
HZS11L  
8.0  
1.0  
HZS12L  
10.5  
10.0  
* Referent only  
Page 2 of 3  
Rev. 04 : December 3, 2008  
TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Test  
Zener Voltage  
Maximum Dymamic  
Resistance  
Maximum  
Reverse Current  
Typical Temperature  
Coefficient *  
Current  
Grade  
Type  
Vz (V) at IZT  
IR  
@
VR  
IZT  
rd  
@
IZ  
IZ  
γZ(mV/ °C)  
min.  
max.  
(mA)  
(Ω)  
(mA)  
(μA)  
(V)  
(mA)  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1
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3
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2
3
1
2
3
1
2
3
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1
2
3
14.1  
14.5  
14.9  
15.3  
15.7  
16.3  
16.9  
17.5  
18.1  
18.8  
19.5  
20.2  
20.9  
21.6  
22.3  
22.9  
23.6  
24.3  
25.2  
26.2  
27.2  
28.2  
29.2  
30.2  
31.2  
32.2  
33.2  
34.2  
35.3  
36.4  
14.7  
15.1  
15.5  
15.9  
16.5  
17.1  
17.7  
18.3  
19.0  
19.7  
20.4  
21.1  
21.9  
22.6  
23.3  
24.0  
24.7  
25.5  
26.6  
27.6  
28.6  
29.6  
30.6  
31.6  
32.6  
33.6  
34.6  
35.7  
36.8  
38.0  
HZS15L  
HZS16L  
HZS18L  
HZS20L  
HZS22L  
HZS24L  
HZS27L  
HZS30L  
HZS33L  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
80  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
13.0  
14.0  
15.0  
18.0  
20.0  
22.0  
24.0  
27.0  
30.0  
33.0  
12.0  
13.0  
16.0  
18.0  
20.0  
23.0  
26.0  
29.0  
32.0  
36.0  
80  
80  
100  
100  
120  
150  
200  
250  
300  
HZS36L  
* Referent only  
Note:  
Type No. show as follows, HZS6A1L, HZS6A2L ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅ HZS36-3L  
Page 3 of 3  
Rev. 04 : December 3, 2008  
厂商 型号 描述 页数 下载

RENESAS

 		HZS 硅外延平面齐纳二极管，稳压电源[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply ] 7 页

HITACHI

 		HZS 硅外延平面齐纳二极管，稳压电源[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply ] 6 页

RENESAS

 		HZS-L 硅外延平面齐纳二极管的低噪声应用[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application ] 7 页

RENESAS

 		HZS-LL 硅外延平面齐纳二极管的硬拐点低噪声[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Hard Knee Low Noise ] 5 页

ETC

 		HZS-LLSERIES [ ] 5 页

ETC

 		HZS-LSERIES [ ] 7 页

RENESAS

 		HZS-N 硅外延平面齐纳二极管，稳压电源[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply ] 7 页

ETC

 		HZS-NSERIES [ ] 9 页

RENESAS

 		HZS10NB1 硅外延平面齐纳二极管，稳压电源[ Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply ] 7 页

RENESAS

 		HZS10NB1-E [ 9.39V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, MHD, 2 PIN ] 7 页

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