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DZ950N44K-A

型号：

DZ950N44K-A

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

158 K

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DZ950N  
DZ950N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
PeriodischeSpitzensperrspannungT = -40°C... T  
3600  
3700  
4000 V  
4400 V  
VRRM  
vj  
vj max  
repetitive peak reverse voltages  
4100 V  
4500 V  
Stoßspitzensperrspannung  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VRSM  
non-repetitive peak reverse voltage  
1500 A  
950 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
IFRMSM  
IFAVM  
IFSM  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 100 °C  
35.000 A  
29.000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
6.125.000 A²s  
4.205.000 A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
1,78 V  
max.  
Tvj = Tvj max , iF = 3000 A  
Tvj = Tvj max  
vF  
on-state voltage  
0,85 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
rT  
0,28 mΩ  
100 mA  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
max.  
max.  
Sperrstrom  
reverse current  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
VISOL  
kV  
kV  
3,6  
3,0  
insulation test voltage  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC  
pro Modul / per Module, DC  
0,042 °C/W  
max. 0,0405 °C/W  
pro Modul / per Module  
pro Zweig / per arm  
max.  
0,01 °C/W  
160  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCH  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
thermal resistance, case to heatsink  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
°C  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
- 40...+150 °C  
- 40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
C. Drilling  
date of publication: 06.05.03  
revision:  
prepared by:  
1
approved by: M. Leifeld  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
1/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DZ950N  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
AlN  
6
internal insulation  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Toleranz ±15%  
M1  
M2  
G
Nm  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Toleranz ±10%  
18 Nm  
Gewicht  
weight  
typ.  
2750  
g
Kriechstrecke  
64 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
file-No.  
E 83336  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
2/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
2
1
DZ  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
3/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,0011  
0,0100  
0,0027  
0,0188  
0,0087  
0,3035  
0,0231  
4,994  
0,0051  
9,98  
τn [s]  
nmax  
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC  
1 - e– t  
ꢀ R  
n=1  
Analytische Funktion / Analytical function:  
thn  
Θ=  
rec 60°  
rec120°  
rec180°  
sin180°  
DC  
0,04  
0,03  
0,02  
0,01  
0,00  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
4/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DZ950N  
R,Tau_Glieder des Kühlers  
Verstärkte Kühlung / Forced cooling  
1 Module pro Kühler / 1 modules per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KW70 (4l/min)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
0,00035  
13  
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,00214  
9,89  
0,0245  
31,3  
τn [s]  
nmax  
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA  
1 - e – t  
ꢀR  
n=1  
Analytische Funktion / Analytical function:  
thn  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
5/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
2200  
DC  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
180 ° rec  
180 ° sin  
120 ° rec  
Θ= 60 ° rec  
0
400  
800  
1200  
1600  
IFAV [A]  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
180 ° sin  
40  
DC  
Θ= 60 ° rec  
180 ° rec  
120 ° rec  
20  
0
400  
800  
1200  
1600  
IFAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
6/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
6000  
ID  
B2  
R thCA [°C/W]  
0,010  
0,015  
+
5000  
~
R-Last  
0,025  
0,035  
4000  
3000  
2000  
-
L-Last  
0,045  
0,060  
0,080  
0,150
0,150  
1000  
0,150  
0,150  
0
0
20  
40  
60  
T A [°C]  
80  
100  
120  
140  
0
500  
1000  
ID [A]  
1500  
2000  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
ID  
B6  
R thCA [°C/W]  
3~  
0,010  
+
0,015  
-
0,025  
0,035  
0,045  
0,060  
0,080  
,
0,150
0,150  
1000  
0
0,150  
0
500  
1000  
1500  
ID [A]  
2000  
2500  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
T
A [°C]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
7/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
100000  
iFM  
=
3200A  
1600A  
800A  
400A  
200A  
100A  
10000  
1000  
0,1  
1
10  
-di/dt [A/µs]  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Beschaltung/ Snubber: R = 2,7ꢀ , C = 1,5µF  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM  
24.000  
20.000  
16.000  
12.000  
8.000  
a
Ta = 25 °C  
b
4.000  
0
0,01  
0,1  
1
t [s]  
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM  
Ta = 25°C, Wasserkühlung / water cooling Kühlkörper / Heatsink type: KW70 4l/min  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
8/9  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DZ950N  
Rectifier Diode Module  
16.000  
I FAV (vor)  
0 A  
450 A  
700 A  
900 A  
1050 A  
1140 A  
=
12.000  
8.000  
4.000  
0
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
100  
1000  
10000  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Wasserkühlung / water cooling at TA = 25°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)  
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther  
A22/00  
Seite/page  
9/9  
厂商 型号 描述 页数 下载

EUPEC

 		DZ950N 整流二极管模块[ Rectifier Diode Module ] 10 页

INFINEON

 		DZ950N36K-K [ Rectifier Diode, ] 9 页

INFINEON

 		DZ950N36KHPSA1 [ Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 3600V V(RRM), Silicon, MODULE-2 ] 10 页

INFINEON

 		DZ950N40K [ Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 4000V V(RRM), Silicon, MODULE-2 ] 10 页

INFINEON

 		DZ950N40K-K [ Rectifier Diode, ] 9 页

INFINEON

 		DZ950N42 [ Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 4200V V(RRM), Silicon, ] 10 页

INFINEON

 		DZ950N44K-K [ Rectifier Diode, ] 9 页

INFINEON

 		DZ950N44KS01 [ Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 4400V V(RRM), Silicon, MODULE-2 ] 10 页

DIODES

 		DZ9F10S92 [ SURFACE MOUNT ZENER DIODE ] 5 页

DIODES

 		DZ9F11S92 [ SURFACE MOUNT ZENER DIODE ] 5 页

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