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FZ750R65KE3

型号:

FZ750R65KE3

描述:

高绝缘模块[ high insulated module ]

品牌:

INFINEON[ Infineon ]

页数:

9 页

PDF大小:

359 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
hochisolierendes Modul  
high insulated module  
V†Š» = 6500V  
I† ÒÓÑ = 750A  
I†ç¢ = 1500A  
Typical Applications  
Mittelspannungsantriebe  
Medium Voltage Drives  
Traction Drives  
Traktions Umrichter  
Electrical Features  
niedriges VCEsat  
low VCEsat  
Mechanical Features  
AlSiC Bodenplatte für große thermische  
Wechselfestigkeit  
AlSiC Base Plate for high Thermal  
Cycling Capability  
Gehäuse mit CTI > 600  
Package with CTI > 600  
Gehäuse mit erweiterten Isolationseigenschaften von Package with enhanced Insulation of  
10.2kV AC 1min.  
10,2kV AC 1min.  
Große Luft- und Kriechstrechen  
High Creepage and Clearance  
Distances  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
material no: 29819  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -40°C  
6500  
6500  
6000  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
t« = 1 ms  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
750  
1500  
14,5  
+/-20  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
kW  
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 750 A, V•Š = 15 V  
I† = 750 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,40  
3,70  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 100 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 3600V  
TÝÎ = 25°C  
5,4  
6,0  
6,6  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
31,0  
0,75  
205  
3,20  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 6500 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,70  
0,80  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,33  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
7,30  
7,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,50  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
4200  
6500  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 750 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3600  
4200  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 4500 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
4500  
8,80  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
8,70 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
K/kW  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -40°C  
6500  
6500  
6000  
Vçç¢  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
750  
1500  
470  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tÓÒ ÑÍÒ  
3000  
10,0  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 750 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 750 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,50  
2,95  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 750 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1100  
1200  
A
A
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 750 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
850  
1600  
µC  
µC  
TÝÎ = 125°C  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 750 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1400  
3000  
mJ  
mJ  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
18,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
14,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
V𻥡  
10,2  
5,1  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ typ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
V𻥡  
V†Š ‡  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
3800  
AlSiC  
AlN  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
56,0  
56,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
26,0  
26,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
18  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LÙ†Š  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
R††óôŠŠó  
Rƒƒóô††ó  
0,12  
0,12  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,8  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1400  
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approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1500  
1500  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20 V  
V•Š = 15 V  
V•Š = 12 V  
V•Š = 10 V  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
V†Š [V]  
4,0  
5,0  
6,0  
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1 Â, R•ÓËË = 6.8 Â, V†Š = 3600 V  
1500  
18000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
16000  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
14000  
12000  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
6
7
8
9 10  
V•Š [V]  
11  
12  
13  
0
250  
500  
750  
I† [A]  
1000  
1250  
1500  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 750 A, V†Š = 3600 V  
14000  
10  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
12000  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 0,44 5,62 1,67 0,96  
4
τÍ[s]:  
0,004 0,044 0,405 3,93  
0,1  
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]  
7
8
9
10 11 12  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 6.8 Â, TÝÎ = 125°C  
1750  
1500  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1500  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
2000  
3000  
4000  
5000  
6000  
7000  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
V†Š [V]  
VŒ [V]  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1 Â, V†Š = 3600 V  
IŒ = 750 A, V†Š = 3600 V  
4400  
3300  
3000  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
600  
400  
300  
0
0
0
250  
500  
750  
IŒ [A]  
1000  
1250  
1500  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
R• [Â]  
2,0  
2,5  
3,0  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
save operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
1750  
ZÚÌœ† : Diode  
Iç, Modul  
1500  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 2,69 11,49 2,82 1,61  
4
τÍ[s]:  
0,005 0,048 0,313 3,348  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
Vç [V]  
t [s]  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ750R65KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
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contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
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prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2009-04-06  
revision: 2.1  
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INFINEON

FZ750R65KE3NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 ] 9 页

INFINEON

FZ750R65KE3T 高绝缘模块[ high insulated module ] 9 页

ETC

FZ75A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V( BR ) CES | 75A I(C ) | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

FZ75A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V( BR ) CES | 75A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C) ] 1 页

ETC

FZ75A10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V( BR ) CES | 75A I(C ) | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

FZ75A12KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V( BR ) CES | 75A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) ] 1 页

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